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1. (WO2019064431) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE À HAUTE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/064431 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/035233
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
H01L 23/29 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29
caractérisées par le matériau
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
浅田 智之 ASADA Tomoyuki; JP
野上 洋一 NOGAMI Yoichi; JP
堀口 健一 HORIGUCHI Kenichi; JP
山部 滋生 YAMABE Shigeo; JP
美保 諭志 MIHO Satoshi; JP
向井 謙治 MUKAI Kenji; JP
Mandataire :
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, HIGH-FREQUENCY POWER AMPLIFIER, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE À HAUTE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、高周波電力増幅器、および、半導体装置の製造方法
Abrégé :
(EN) In order to achieve low impedance of leads connected to a semiconductor device, while exhibiting an anchor effect, this semiconductor device comprises a heat sink (101), a semiconductor element (102), a lead (104) positioned above the heat sink, and a molding (109) formed so as to cover the lead, the heat sink, and the semiconductor element. The edge portion of the lower surface of the heat sink which overlaps with the lead in a plan view has formed thereupon a first protrusion (101a) which protrudes further than the edge portion of the upper surface at said position, and the edge part of the upper surface of the heat sink which does not overlap with the lead in plan view has formed thereupon a second protrusion (101c) which protrudes further than the edge portion of the lower surface at said position.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui, afin d'obtenir une faible impédance de conducteurs qui y sont connectés tout en présentant un effet d'ancrage, comprend un dissipateur thermique (101), un élément semi-conducteur (102), un conducteur (104), positionné au-dessus du dissipateur thermique, et un moulage (109), formé de manière à recouvrir le fil, le dissipateur thermique et l'élément semi-conducteur. Une première saillie (101a), qui fait saillie plus loin que la partie de bord de la surface supérieure dans cette configuration, est formée sur la partie de bord de la surface inférieure du dissipateur thermique, qui chevauche le fil dans une vue en plan, et une seconde saillie (101c), qui fait saillie plus loin que la partie de bord de la surface inférieure dans cette configuration, est formée sur la partie de bord de la surface supérieure du dissipateur de chaleur, qui ne chevauche pas le fil dans la vue en plan .
(JA) アンカー効果を発揮しつつ、半導体素子に接続されたリードの低インピーダンス化を実現する。半導体装置は、ヒートシンク(101)と、半導体素子(102)と、ヒートシンクの上方に配置されるリード(104)と、リード、ヒートシンク、半導体素子を覆って形成されるモールド材(109)とを備える。ヒートシンクの、平面視においてリードと重なる位置の下面の縁部には、当該位置の上面の縁部よりも突出する第1の凸部(101a)が形成され、ヒートシンクの、平面視においてリードと重ならない位置の上面の縁部には、当該位置の下面の縁部よりも突出する第2の凸部(101c)が形成される。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)