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1. (WO2019064172) FORMATION DE MOTIFS DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE SUR DU NITRURE DE SILICIUM
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N° de publication : WO/2019/064172 N° de la demande internationale : PCT/IB2018/057394
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 25.09.2018
CIB :
G03F 7/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
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Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
Déposants :
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504, US
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU, GB (MG)
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza No.27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District, Beijing 100101, CN (MG)
Inventeurs :
SESHADRI, Indira; US
DE SILVA, Ekmini, Anuja; US
LIU, Chi-Chun; US
CHI, Cheng; US
GUO, Jing; US
MELI THOMPSON, Luciana; US
Mandataire :
GASCOYNE, Belinda; GB
Données relatives à la priorité :
15/719,60829.09.2017US
Titre (EN) PHOTORESIST PATTERNING ON SILICON NITRIDE
(FR) FORMATION DE MOTIFS DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE SUR DU NITRURE DE SILICIUM
Abrégé :
(EN) Embodiments of the present invention provide systems and methods for trapping amines. This in turn mitigates the undesired scumming and footing effects in a photoresist. The polymer brush is grafted onto a silicon nitride surface. The functional groups and molecular weight of the polymer brush provide protons and impose steric hindrance, respectively, to trap amines diffusing from a silicon nitride surface.
(FR) Selon divers modes de réalisation, la présente invention concerne des systèmes et des procédés de piégeage d'amines. Ceci permet à son tour d'atténuer les effets de graissage et de base indésirables dans une résine photosensible. La brosse en polymère est greffée sur une surface de nitrure de silicium. Les groupes fonctionnels et le poids moléculaire de la brosse en polymère fournissent des protons et imposent un empêchement stérique, respectivement, pour piéger des amines se diffusant à partir d'une surface de nitrure de silicium.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)