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1. (WO2019064111) DISPOSITIF DE MÉMOIRE RÉSISTIVE
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N° de publication : WO/2019/064111 N° de la demande internationale : PCT/IB2018/056992
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 13.09.2018
CIB :
G11C 11/56 (2006.01)
G PHYSIQUE
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ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
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utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence
Déposants :
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504, US
RHEINISCH-WESTFÄLISCHE TECHNISCHE HOCHSCHULE (RWTH) AACHEN [DE/DE]; Templergraben 55 52062 Aachen, DE
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LTD. [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza, No. 27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District Beijing, Beijing 100101, CN (MG)
IBM DEUTSCHLAND GMBH [DE/DE]; c/o IBM Deutschland Management & Business Support GmbH Patentwesen und Urheberrecht Postfach 71137 Ehningen, DE (MG)
Inventeurs :
KOELMANS, Wabe; CH
SEBASTIAN, Abu; CH
JONNALAGADDA, Vara; CH
SALINGA, Martin; DE
KERSTING, Benedikt; CH
Mandataire :
LUECK, Stephan; DE
Données relatives à la priorité :
15/715,21426.09.2017US
Titre (EN) RESISTIVE MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE RÉSISTIVE
Abrégé :
(EN) The invention is notably directed to a resistive memory device comprising a control unit for controlling the resistive memory device and a plurality of memory cells. The plurality of memory cells includes a first terminal, a second terminal and a phase change segment comprising a phase-change material for storing information in a plurality of resistance states. The phase change segment is arranged between the first terminal and the second terminal. The phase change material consists of antimony. Furthermore, at least one of the dimensions of the phase change segment is smaller than 15 nanometers. Additional implementations of the resistive memory device include a related method, a related control unit, a related memory cell and a related computer program product.
(FR) L'invention concerne notamment un dispositif de mémoire résistive comprenant une unité de commande pour commander le dispositif de mémoire résistive et une pluralité de cellules de mémoire. La pluralité de cellules de mémoire comprend un premier terminal, un second terminal et un segment à changement de phase comprenant un matériau à changement de phase pour stocker des informations dans une pluralité d'états de résistance. Le segment à changement de phase est agencé entre le premier terminal et le second terminal. Le matériau à changement de phase est constitué d'antimoine. En outre, au moins une des dimensions du segment à changement de phase est inférieure à 15 nanomètres. Des modes de réalisation supplémentaires du dispositif de mémoire résistive comprennent un procédé associé, une unité de commande associée, une cellule de mémoire associée et un produit-programme informatique associé.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)