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1. (WO2019063967) CAPTEUR DE GAZ ÉTHYLÈNE CONTITUÉ D'UN TEC ORGANIQUE
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N° de publication : WO/2019/063967 N° de la demande internationale : PCT/GB2018/052584
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 12.09.2018
CIB :
G01N 27/414 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26
en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
403
Ensembles de cellules et d'électrodes
414
Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c. à d. ISFETS ou CHEMFETS
Déposants :
CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED [GB/GB]; Unit 12 Cardinal Park, Cardinal Way,, Godmanchester Godmanchester Cambridgeshire PE29 2XG, GB (MG)
SUMITOMO CHEMICAL COMPANY LIMITED [JP/JP]; Floor 18, Sumitomo Twin Buildings, 27-1 Shinkawa 2-chome,, Chuo-ku Tokyo, 104-8260, JP
Inventeurs :
GODDARD, Simon; GB
DARTNELL, Nicholas; GB
Mandataire :
GAHLINGS, Steven; GB
Données relatives à la priorité :
1715683.728.09.2017GB
Titre (EN) OFET-BASED ETHYLENE GAS SENSOR
(FR) CAPTEUR DE GAZ ÉTHYLÈNE CONTITUÉ D'UN TEC ORGANIQUE
Abrégé :
(EN) An ethylene gas sensor based on an organic field-effect transistor that includes an organic semiconductor layer incorporating a non-conducting polymer. The non-conducting polymer enhances the response of the organic field-effect transistor to presence of ethylene.
(FR) L'invention concerne un capteur de gaz éthylène constitué d'un transistor à effet de champ organique qui comprend une couche semi-conductrice organique contenant un polymère non conducteur. Le polymère non conducteur améliore la réponse du transistor à effet de champ organique à la présence d'éthylène.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)