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1. (WO2019063957) PROCÉDÉ PERMETTANT DE RENDRE POREUX UN MATÉRIAU ET STRUCTURE À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/063957 N° de la demande internationale : PCT/GB2017/052895
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 27.09.2017
CIB :
H01L 21/3063 (2006.01) ,H01L 33/16 (2010.01) ,C25F 3/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3063
Gravure électrolytique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
16
ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
F
PROCÉDÉS POUR LE TRAITEMENT D'OBJETS PAR ENLÈVEMENT ÉLECTROLYTIQUE DE MATIÈRE; APPAREILLAGES À CET EFFET
3
Attaque de surface ou polissage électrolytique
02
Attaque de surface
12
des matériaux semi-conducteurs
Déposants :
CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD [GB/GB]; The Old Schools Trinity Lane Cambridge, Cambridgeshire CB2 1TN, GB
Inventeurs :
ZHU, Tongtong; GB
OLIVER, Rachel A.; GB
LIU, Yingjun; GB
Mandataire :
REDDIE & GROSE LLP; The White Chapel Building 10 Whitechapel High Street London, Greater London E1 8QS, GB
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR POROSIFYING A MATERIAL AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE RENDRE POREUX UN MATÉRIAU ET STRUCTURE À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) A method for porosifying a Ill-nitride material in a semiconductor structure is provided, the semiconductor structure comprising a sub-surface structure of a first Ill-nitride material, having a charge carrier density greater than 5 x 1017 cm-3, beneath a surface layer of a second Ill-nitride material, having a charge carrier density of between 1 x 1014 cm-3 and 1 x 1017 cm-3. The method comprises the steps of exposing the surface layer to an electrolyte, and applying a potential difference between the first Ill-nitride material and the electrolyte, so that the sub-surface structure is porosified by electrochemical etching, while the surface layer is not porosified. A semiconductor structure and uses thereof are further provided.
(FR) La présente invention concerne un procédé permettant de rendre poreux un matériau de nitrure III d'une structure à semi-conducteur, la structure à semi-conducteur comprenant une structure de sous-surface en premier matériau de nitrure III affichant une densité de porteurs de charge supérieure à 5 x 1017 cm-3, située sous une couche d'un second matériau de nitrure III affichant une densité de porteurs de charge s'inscrivant dans une plage de 1 x 1014 cm-3 à 1 x 1017 cm-3. Le procédé comprend les étapes consistant à exposer la couche de surface à un électrolyte, et à appliquer une différence de potentiel entre le premier matériau de nitrure III et l'électrolyte, de sorte que la structure de sous-surface soit rendue poreuse par gravure électrochimique, tout en ne rendant pas poreuse la couche de surface. La présente invention concerne en outre une structure à semi-conducteur et ses utilisations.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)