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1. (WO2019063771) DISPOSITIF ISOLÉ GALVANIQUE ET SYSTÈME CORRESPONDANT
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N° de publication : WO/2019/063771 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/076419
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2018
CIB :
H03K 19/0175 (2006.01) ,H04B 10/80 (2013.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
19
Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
0175
Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
B
TRANSMISSION
10
Systèmes de transmission utilisant des ondes électromagnétiques autres que les ondes hertziennes, p.ex. les infrarouges, la lumière visible ou ultraviolette, ou utilisant des radiations corpusculaires, p.ex. les communications quantiques
80
Aspects optiques concernant l’utilisation de la transmission optique pour des applications spécifiques non prévues dans les groupes H04B10/03-H04B10/70184
Déposants :
INTERDIGITAL CE PATENT HOLDINGS [FR/FR]; 3 rue du colonel Moll 75017 Paris, FR
Inventeurs :
MARCHAND, Philippe; FR
FOUQUE, Claude; FR
SALOU, Frédérique; FR
Mandataire :
HUCHET, Anne; FR
PERROT, Sébastien; FR
LORETTE, Anne; FR
ROLLAND, Sophie; FR
LABELLE, Lilian; FR
MORAIN, David; FR
AMOR, Rim; FR
STAHL, Niclas; FR
Données relatives à la priorité :
17306294.429.09.2017EP
Titre (EN) GALVANIC ISOLATED DEVICE AND CORRESPONDING SYSTEM
(FR) DISPOSITIF ISOLÉ GALVANIQUE ET SYSTÈME CORRESPONDANT
Abrégé :
(EN) A device including an optoelectric circuit that is configured to provide galvanic isolation between a first circuit and a second circuit is disclosed. The optoelectric circuit includes at least one non-inverting buffer and a metal semiconductor diode. The at least one non-inverting buffer is positioned between a collector of a phototransistor and an anode of a light emitting diode. The metal semiconductor diode is positioned between the collector of the phototransistor and the at least one non-inverting buffer.
(FR) L'invention concerne un dispositif comprenant un circuit optoélectrique configuré pour assurer une isolation galvanique entre un premier et un deuxième circuit. Le circuit optoélectrique comprend au moins un tampon non inverseur et une diode à semi-conducteur métallique. Ledit tampon non inverseur au moins est positionné entre un collecteur d'un phototransistor et une anode d'une diode électroluminescente. La diode à semi-conducteur métallique est positionnée entre le collecteur du phototransistor et ledit tampon non inverseur au moins.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)