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1. (WO2019063732) ADAPTATION DE LA CONCENTRATION DE TRANSPORT DE TROUS DANS CUXCRYO2
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N° de publication : WO/2019/063732 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/076349
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 27.09.2018
CIB :
C04B 35/12 (2006.01) ,C04B 35/45 (2006.01) ,C04B 35/622 (2006.01) ,C03C 17/245 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01) ,C23C 16/448 (2006.01) ,H01L 29/26 (2006.01) ,C04B 111/94 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
04
CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
B
CHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
35
Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
01
à base d'oxydes
12
à base d'oxyde de chrome
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
04
CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
B
CHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
35
Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
01
à base d'oxydes
45
à base d'oxyde de cuivre ou de ses solutions solides avec d'autres oxydes
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
04
CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
B
CHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
35
Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
622
Procédés de mise en forme; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
03
VERRE; LAINE MINÉRALE OU DE SCORIES
C
COMPOSITION CHIMIQUE DES VERRES, GLAÇURES OU ÉMAUX VITREUX; TRAITEMENT DE LA SURFACE DU VERRE; TRAITEMENT DE SURFACE DES FIBRES OU FILAMENTS DE VERRE, SUBSTANCES MINÉRALES OU SCORIES; LIAISON DU VERRE AU VERRE OU À D'AUTRES MATÉRIAUX
17
Traitement de surface du verre dévitrifié, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par revêtement
22
par d'autres matières inorganiques
23
Oxydes
245
par dépôt à partir d'une phase vapeur
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22
caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30
Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
40
Oxydes
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
448
caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p.ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
26
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des éléments couverts par plusieurs des groupes H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22, H01L29/24260
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
04
CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
B
CHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
111
Fonction, propriétés ou utilisation des mortiers, du béton ou de la pierre artificelle
90
Propriétés électriques
94
Matériaux conducteurs électriques
Déposants :
LUXEMBOURG INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY (LIST) [LU/LU]; 5, avenue des Hauts-Fourneaux 4362 Esch-sur-Alzette, LU
Inventeurs :
LENOBLE, Damien; BE
Mandataire :
LECOMTE & PARTNERS; P.O. Box 1623 1016 Luxembourg, LU
Données relatives à la priorité :
LU10046227.09.2017LU
Titre (EN) TAILORING HOLES CARRIER CONCENTRATION IN CUXCRYO2
(FR) ADAPTATION DE LA CONCENTRATION DE TRANSPORT DE TROUS DANS CUXCRYO2
Abrégé :
(EN) The first object of the invention is directed to a method for modulating the number of charge carriers p in CuxCryO2, said method comprising the steps of (a) depositing a film of CuxCryO2 on a substrate; and (b) annealing at a temperature T said film of deposited CuxCryO2, wherein said subscripts x and y are positive numbers whose the sum is equal or inferior to 2. Said method is remarkable in that said log (p) = α T2 + β T + γ,wherein said temperature T is expressed degree Celsius, wherein α is a first parameter ranging from – 0.00011 to – 0.009, wherein β is a second parameter ranging from + 0.12 to + 0.14, and wherein γ is a third parameter ranging from - 27.40 to – 22.42. The second object of the invention is directed to a semiconductor comprising CuxCryO2 deposited on a substrate and obtainable by the method in accordance with the first object of the invention.
(FR) Le premier objet de la présente invention concerne un procédé de modulation du nombre de transporteurs de charge p dans du CuxCryO2, ledit procédé comprenant les étapes de (a) dépôt d'un film de CuxCryO2 sur un substrat; et (b) hybridation à une température T dudit film de CuxCryO2 déposé, lesdits indices x et y étant des nombres positifs dont la somme est inférieure ou égale à 2. Ledit procédé est remarquable en ce que ledit log (p) = α T2 + β T + γ, ladite température T est exprimée en degré Celsius, α étant un premier paramètre s'étendant de -0,00011 à -0,009, β étant un second paramètre s'étendant de +0,12 à +0,14, et γ étant un troisième paramètre s'étendant de -27,40 à -22,42. Le second objet de l'invention est dirigé vers un semi-conducteur comprenant du CuxCryO2 déposé sur un substrat et pouvant être obtenu au moyen du procédé selon le premier objet de l'invention.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)