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1. (WO2019063533) COMPOSANT ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
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N° de publication : WO/2019/063533 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/075933
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 25.09.2018
CIB :
H01L 23/367 (2006.01) ,H01L 23/373 (2006.01) ,H01L 21/48 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 23/495 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
367
Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
373
Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
48
Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326218
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488
formées de structures soudées
495
Cadres conducteurs
Déposants :
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München, DE
FRIEDRICH-ALEXANDER-UNIVERSITÄT ERLANGEN-NÜRNBERG [DE/DE]; Schlossplatz 4 91054 Erlangen, DE
Inventeurs :
ECKARDT, Bernd; DE
HOFMANN, Maximilian; DE
MENRATH, Thomas; DE
SCHRIEFER, Thomas; DE
Mandataire :
FRIESE GOEDEN PATENTANWÄLTE PARTGMBB; Widenmayerstraße 49 80538 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 217 406.429.09.2017DE
Titre (EN) COMPONENT, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) COMPOSANT ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(DE) BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
Abrégé :
(EN) The invention relates to a component (1) having: at least one support substrate (2) with a first face (21) and an opposite second face (22); at least one first semiconductor chip (3) with a first face (31) and an opposite second face (32), the first face (31) of the semiconductor chip (3) being arranged on the second face (22) of the support substrate (2); and at least one electrical connector (4) which is fastened to a contact of the semiconductor chip (3), wherein at least one cooling structure (5) is situated on at least one portion of the electrical connector (4) and/or on at least one portion of the second face (32) of the semiconductor chip (3) and/or on at least one portion of the support substrate (2), said cooling structure having been produced by melting a powder which contains or consists of a metal or an alloy. The invention also relates to a method for producing such a component.
(FR) L'invention concerne un composant (1) comprenant au moins un substrat porteur (2) ayant un premier côté (21) et un deuxième côté (22) opposé, et comprenant au moins une première puce en semiconducteur (3) ayant un premier côté (31) et un deuxième côté (32) opposé, le premier côté (31) de la première puce en semiconducteur (3) étant disposé sur le deuxième côté (22) du substrat porteur (2), et comprenant au moins un connecteur électrique (4) qui est fixé à un contact de la puce en semiconducteur (3). Au moins une structure de refroidissement (5), qui a été produite par fusion d'une poudre qui contient un métal ou un alliage ou qui s'en compose, est disposée sur au moins une surface partielle du connecteur électrique (4) et/ou sur au moins une surface partielle du deuxième côté (32) de la puce en semiconducteur (3) et/ou sur au moins une surface partielle du substrat porteur (2). L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'un tel composant.
(DE) Bauelement (1) mit zumindest einem Trägersubstrat (2), mit einer ersten Seite (21) und einer gegenüberliegenden zweiten Seite (22) und mit zumindest einem ersten Halbleiterchip (3) mit einer ersten Seite (31) und einer gegenüberliegenden zweiten Seite (32), wobei die erste Seite (31) des Halbleiterchips (3) auf der zweiten Seite (22) des Trägersubstrates (2) angeordnet ist und mit zumindest einem elektrischen Verbinder (4), welcher an einem Kontakt des Halbleiterchips (3) befestigt ist, wobei auf zumindest einer Teilfläche des elektrischen Verbinders (4) und/oder auf zumindest einer Teilfläche der zweiten Seite (32) des Halbleiterchips (3) und/oder auf zumindest einer Teilfläche des Trägersubstrates (2) zumindest eine Kühlstruktur (5) angeordnet ist, welche durch Aufschmelzen eines Pulvers erzeugt wurde, welches ein Metall oder eine Legierung enthält oder daraus besteht. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelementes.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)