Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019063500) DISJONCTEUR À BASSE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/063500 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/075853
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 25.09.2018
CIB :
H01H 9/54 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
H
INTERRUPTEURS ÉLECTRIQUES; RELAIS; SÉLECTEURS, DISPOSITIFS DE PROTECTION
9
Détails de dispositifs de commutation non couverts par H01H1/-H01H7/107
54
Circuits non adaptés à une application particulière du dispositif de commutation non prévus ailleurs
Déposants :
EATON INTELLIGENT POWER LIMITED [IE/IE]; 30 Pembroke Road Dublin, 4, IE
Inventeurs :
ASKAN, Kenan; AT
Mandataire :
EATON IP GROUP EMEA; Route de la Longeraie 7 1110 Morges, CH
Données relatives à la priorité :
10 2017 122 218.926.09.2017DE
Titre (EN) LOW-VOLTAGE CIRCUIT BREAKER DEVICE
(FR) DISJONCTEUR À BASSE TENSION
(DE) NIEDERSPANNUNGS-SCHUTZSCHALTGERÄT
Abrégé :
(EN) In a low-voltage circuit breaker device (1) having at least one outer conductor path (2) and a neutral conductor path (5), wherein a mechanical bypass switch (8) is arranged in the outer conductor path (2), wherein a first semiconductor circuit arrangement (11) of the low-voltage circuit breaker device (1) is connected in parallel with the bypass switch (8), wherein a current measurement arrangement (12), which is connected to an electronic control unit (13) of the circuit breaker device (1), is arranged in the outer conductor path (2), it is proposed that a second semiconductor circuit arrangement (14) is arranged in the outer conductor path (2) in series with the bypass switch (8) and in parallel with the first semiconductor circuit arrangement (11) in terms of circuit technology, and that the electronic control unit (13) is configured, in the case of a current arising via the outer conductor path (2) that is greater than the rated current but lower than a trip overcurrent, to first switch on the first semiconductor circuit arrangement (11) , then to block the second semiconductor circuit arrangement (14), and subsequently to switch on the first semiconductor circuit arrangement (11) and the second semiconductor circuit arrangement (14) in alternation in a settable manner.
(FR) Dans un disjoncteur à basse tension (1) comportant au moins une section de conducteur externe (2) et une section de conducteur neutre (5), un commutateur de dérivation mécanique (8) étant disposé dans la section de conducteur externe (2), un premier ensemble de circuit à semi-conducteur (11) du disjoncteur à basse tension (1) étant monté en parallèle avec le commutateur de dérivation (8), un dispositif de mesure de courant (12), relié à une unité de commande électronique (13) du disjoncteur (1), étant disposé dans la section de conducteur externe (2), il est proposé de disposer dans la section de conducteur externe (2) un deuxième ensemble de circuit à semi-conducteur (14) en série avec un commutateur de dérivation (8) et en parallèle avec le premier ensemble de circuit semi-conducteur (11) par une technique de circuits et de concevoir l’unité de commande électronique (13) de manière à activer tout d’abord le premier ensemble de circuit à semi-conducteur (11) lors de l’apparition d’un courant sur la section de conducteur externe (2) qui est supérieur au courant nominal mais inférieur à une surintensité de déclenchement, puis de manière à désactiver le deuxième ensemble de circuit à semi-conducteur (14) et ensuite à commuter alternativement de manière prédéterminable le premier ensemble de circuit à semi-conducteur (11) et le deuxième ensemble de circuit à semi-conducteur (14).
(DE) Bei einem Niederspannungs-Schutzschaltgerät (1) mit mindestens einer Außenleiterstrecke (2) und einer Neutralleiterstrecke (5), wobei in der Außenleiterstrecke (2) ein mechanischer Bypassschalter (8) angeordnet ist, wobei eine erste Halbleiterschaltungsanordnung (11) des Niederspannungs-Schutzschaltgeräts (1) parallel zum Bypassschalter (8) geschaltet ist, wobei in der Außenleiterstrecke (2) eine Strommessanordnung (12) angeordnet ist, welche mit einer elektronischen Steuereinheit (13) des Schutzschaltgeräts (1) verbunden ist, wird vorgeschlagen, dass in der Außenleiterstrecke (2) eine zweite Halbleiterschaltungsanordnung (14) schaltungstechnisch seriell zum Bypassschalter (8) und parallel zur ersten Halbleiterschaltungsanordnung (11) angeordnet ist, und dass die elektronische Steuereinheit (13) dazu ausgebildet ist beim Auftreten eines Stromes über die Außenleiterstrecke (2), welcher größer dem Nennstrom aber kleiner einem Auslöseüberstrom ist, zuerst die erste Halbleiterschaltungsanordnung (11) einzuschalten, dann die zweite Halbleiterschaltungsanordnung (14) zu sperren, und nachfolgend vorgebbar abwechselnd die erste Halbleiterschaltungsanordnung (11) und die zweite Halbleiterschaltungsanordnung (14) durchzuschalten.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)