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1. (WO2019063472) DIODE À BARRIÈRE SCHOTTKY À CONTACT SCHOTTKY AMÉLIORÉ POUR TENSIONS ÉLEVÉES
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N° de publication : WO/2019/063472 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/075773
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 24.09.2018
CIB :
H01L 29/872 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/40 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
872
Diodes Schottky
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
Déposants :
AMS AG [AT/AT]; Schloss Premstätten Tobelbader Str. 30 8141 Premstätten, AT
Inventeurs :
KNAIPP, Martin; AT
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
17193246.026.09.2017EP
Titre (EN) SCHOTTKY BARRIER DIODE WITH IMPROVED SCHOTTKY CONTACT FOR HIGH VOLTAGES
(FR) DIODE À BARRIÈRE SCHOTTKY À CONTACT SCHOTTKY AMÉLIORÉ POUR TENSIONS ÉLEVÉES
Abrégé :
(EN) The Schottky barrier diode comprises a semiconductor body with a main surface (10), a doped region (1) and a further doped region (2) of the semiconductor body, which extend to the main surface, the doped region and the further doped region having opposite types of electric conductivity, a subregion (DPWell) and a further subregion (SPWell) of the further doped region, the subregions being contiguous with one another, the further subregion (SPWell) comprising a higher doping concentration than the subregion (DPWell), a silicide layer (6) on the main surface, the silicide layer forming an interface with the doped region, an electric contact (7) on the doped region, and a further electric contact (8) electrically connecting the further doped region with the silicide layer.
(FR) L'invention porte sur une diode à barrière Schottky qui comprend un corps semi-conducteur présentant une surface principale (10), une zone dopée (1) et une autre zone dopée (2) du corps semi-conducteur qui s'étendent jusqu'à la surface principale, la zone dopée et l'autre zone dopée ayant des types de conductivité électrique opposés, une sous-zone (DPWell) et une autre sous-zone (SPWell)) de l'autre zone dopée, les sous-zones étant contiguës l'une à l'autre, l'autre sous-zone (SPWell) comprenant une plus haute concentration de dopage que la sous-zone (DPWell), une couche de siliciure (6) sur la surface principale, la couche de siliciure formant une interface avec la zone dopée, un contact électrique (7) sur la zone dopée, et un autre contact électrique (8) connectant électriquement l'autre zone dopée à la couche de siliciure.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)