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1. (WO2019063412) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTEUR DE RAYONNEMENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS ÉMETTEURS DE RAYONNEMENT
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N° de publication : WO/2019/063412 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/075488
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 20.09.2018
CIB :
H01L 33/58 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 27/15 (2006.01) ,H01L 33/08 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58
Éléments de mise en forme du champ optique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15
comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
08
ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
ENZMANN, Roland Heinrich; MY
HALBRITTER, Hubert; DE
BEHRINGER, Martin Rudolf; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 122 325.826.09.2017DE
Titre (EN) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTEUR DE RAYONNEMENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS ÉMETTEURS DE RAYONNEMENT
(DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTEN
Abrégé :
(EN) The invention relates to a radiation-emitting semiconductor component (1), comprising a semiconductor body (2) having an active region (20) intended for generating radiation, a carrier body (3) on which the semiconductor body is arranged and an optical element (4), wherein the optical element is secured to the semiconductor body by means of direct bonding. The invention further relates to a method for producing radiation-emitting semiconductor components.
(FR) L'invention concerne un composant semi-conducteur émetteur de rayonnement (1) comprenant un corps semi-conducteur (2) pourvu d'une zone active (20) destinée à générer un rayonnement, un support (3) sur lequel est disposé le corps semi-conducteur, ainsi qu’un élément optique (4), cet élément optique étant fixé au corps semi-conducteur par une liaison directe. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication de composants semi-conducteurs émetteurs de rayonnement.
(DE) Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (1) angegeben, umfassend einen Halbleiterkörper (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), einen Träger (3), auf dem der Halbleiterkörper angeordnet ist und ein optisches Element (4), wobei das optische Element mit einer direkten Bondverbindung an dem Halbleiterkörper befestigt ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen angegeben.
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)