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1. (WO2019063289) PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT D'UN DISPOSITIF DE COMMANDE D'UNE CHARGE INDUCTIVE
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N° de publication : WO/2019/063289 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/074587
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 12.09.2018
CIB :
H03K 17/16 (2006.01) ,H02M 3/156 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
16
Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
3
Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu
02
sans transformation intermédiaire en courant alternatif
04
par convertisseurs statiques
10
utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
145
utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande
155
utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
156
avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
Déposants :
ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Inventeurs :
KOCH, Stefan; DE
MALICH, Thomas; DE
WENDL, Michael; DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 217 260.628.09.2017DE
Titre (EN) METHOD FOR OPERATING AN ACTUATION DEVICE FOR AN INDUCTIVE LOAD
(FR) PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT D'UN DISPOSITIF DE COMMANDE D'UNE CHARGE INDUCTIVE
(DE) VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER ANSTEUERVORRICHTUNG FÜR EINE INDUKTIVE LAST
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for operating an actuation device (100) for an inductive load (30), wherein the actuation device (100) is formed as a half bridge with two MOS-FETs (10, 20) and a connecting point of the two MOS-FETs (10, 20) is galvanically connected to the inductive load (30), the method having the following, cyclically performed steps: - with a positive phase current, where electrical current flows from the half bridge into the inductive load (30): a) in the event of an electrical current flow after high-resistance switching of the HS-MOS-FET (10) via the intrinsic diode of the LS-MOS-FET (20): - subsequent activation of the LS-MOS-FET (20) in a defined rapid manner; b) in the event of an electrical current flow after high-resistance switching of the LS-MOS-FET (20) via the intrinsic diode of the LS-MOS-FET (20): - subsequent activation of the HS-MOS-FET (10) in a defined slow manner; - with a negative electrical phase current, where electrical current flows from the inductive load (30) into the half bridge: a) in the event of an electrical current flow after high-resistance switching of the LS-MOS-FET (20) via the intrinsic diode of the HS-MOS-FET (10); - subsequent activation of the HS-MOS-FET (10) in a defined rapid manner; b) in the event of an electrical current flow after high-resistance switching of the HS-MOS-FET (10) via the intrinsic diode of the HS-MOS-FET; - subsequent activation of the LS-MOS-FET (20) in a defined slow manner.
(FR) Procédé pour faire fonctionner un dispositif d'entraînement (100) pour une charge inductive (30), le dispositif d'entraînement (100) étant conçu comme un demi-pont à deux transistors MOS-FET (10, 20), un point de connexion des deux transistors MOS-FET (10, 20) étant relié galvaniquement à la charge inductive (30), comprenant les étapes suivantes, réalisées de manière cyclique : - dans le cas d'un courant de phase positif, un courant électrique circulant du demi-pont dans la charge inductive (30) : a) dans le cas d'un courant électrique circulant après une commutation à haute impédance du FET HS-MOS (10) via la diode intrinsèque du FET LS-MOS (20) : - activation rapide définie ultérieurement du FET LS-MOS (20) b) dans le cas d'un flux courant électrique après commutation à forte impédance du FET LS-MOS (20) via la diode intrinsèque du FET LS-MOS (20) : - avec un courant de phase électrique négatif, du courant électrique circulant de la charge inductive (30) dans le demi-pont : a) dans le cas d'un courant électrique circulant après la commutation du LS-MOS-FET (20) à haute impédance via la diode intrinsèque du HS-MOS-FET (10) : - définit ensuite la mise sous tension rapide du HS-MOS-FET (10) b) en cas de passage de courant électrique après une commutation haute impédance du HS-MOS-FET (10) via la diode intrinsèque du HS-MOS-FET : - définit ensuite la mise sous tension lente du LS-MOS-FET (20).
(DE) Verfahren zum Betreiben einer Ansteuervorrichtung (100) für eine induktive Last (30), wobei die Ansteuervorrichtung (100) als eine Halbbrücke mit zwei MOS-FETs (10, 20) ausgebildet ist, wobei ein Verbindungspunkt der beiden MOS-FETs (10, 20) galvanisch mit der induktiven Last (30) verbunden ist, aufweisend die folgenden zyklisch ausgeführten Schritte: - bei positivem Phasenstrom, wobei elektrischer Strom aus der Halbbrücke in den induktiven Verbraucher (30) fließt: a) im Falle eines elektrischen Stromflusses nach Hochohmig-Schalten des HS-MOS-FETs (10) über die intrinsische Diode des LS-MOS-FETs (20): - nachfolgendes definiert schnelles Einschalten des LS-MOS-FETs (20) b) im Falle eines elektrischen Stromflusses nach Hochohmig-Schalten des LS-MOS-FETs (20) über die intrinsische Diode des LS-MOS-FETs (20): - nachfolgendes definiert langsames Einschalten des HS-MOS-FETs (10); - bei negativem elektrischem Phasenstrom, wobei elektrischer Strom aus dem induktiven Verbraucher (30) in die Halbbrücke fließt: a) im Falle eines elektrischen Stromflusses nach Hochohmig-Schalten des LS-MOS-FETs (20) über die intrinsische Diode des HS-MOS-FETs (10): - nachfolgendes definiert schnelles Einschalten des HS-MOS-FETS (10) b) im Falle eines elektrischen Stromflusses nach Hochohmig-Schalten des HS-MOS-FETs (10) über die intrinsische Diode des HS-MOS-FETs: - nachfolgendes definiert langsames Einschalten des LS-MOS-FETs (20).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)