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1. (WO2019063254) PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION DE PROPRIÉTÉS D'UNE SOURCE UVE
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N° de publication : WO/2019/063254 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/073903
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 05.09.2018
CIB :
G03F 7/20 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
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Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
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Exposition; Appareillages à cet effet
Déposants :
CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen, DE
Inventeurs :
LAUFER, Timo; DE
HAUF, Markus; DE
MÜLLER, Ulrich; DE
Mandataire :
RAUNECKER, Klaus, Peter; DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 217 266.528.09.2017DE
Titre (EN) METHOD FOR DETERMINING PROPERTIES OF AN EUV SOURCE
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION DE PROPRIÉTÉS D'UNE SOURCE UVE
(DE) VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG VON EIGENSCHAFTEN EINER EUV-QUELLE
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for determining at least one property of an EUV source (3) in a projection printing facility (1) for semiconductor lithography, according to which the property is determined on the basis of the electromagmetic radiation (14) emitted from the EUV source (3), a thermal load for a component (2) of the projection printing facility (1) being determined and the property being deduced on the basis of the determined thermal load.
(FR) L'invention concerne un procédé de détermination d'au moins une propriété d'une source UVE (3) dans une installation d'éclairage par projection (1) pour la lithographie de semi-conducteurs, la propriété étant déterminée au moyen du rayonnement électromagnétique (14) émis par la source UVE (3). Selon l'invention, une charge thermique est déterminée pour un composant (2) de l'installation d'éclairage par projection (1) et la propriété est déduite d'après la charge thermique déterminée.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung mindestens einer Eigenschaft einer EUV-Quelle (3) in einer Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Halbleiterlithographie, wobei die Eigenschaft anhand der von der EUV-Quelle (3) ausgehenden elektromagnetischen Strahlung (14) ermittelt wird und wobei eine Thermallast für eine Komponente (2) der Projektionsbelichtungsanlage (1) ermittelt wird und anhand der ermittelten Thermallast auf die Eigenschaft geschlossen wird.
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Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)