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1. (WO2019063154) COMPOSANT DE RADIATEUR ET SYSTÈME DE DISSIPATION DE CHALEUR POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
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N° de publication : WO/2019/063154 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/068343
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 06.07.2018
CIB :
H01L 23/467 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
46
impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation
467
par une circulation de gaz, p.ex. d'air
Déposants :
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Werner-von-Siemens-Straße 1 80333 Munich, DE
Inventeurs :
ZHANG, Sheng; CN
YAO, Ji Long; CN
ZHAO, Yan Feng; CN
SHI, Lei; CN
LIU, Ze Wei; CN
Mandataire :
ISARPATENT - PATENT- UND RECHTSANWÄLTE BEHNISCH BARTH CHARLES HASSA PECKMANN UND PARTNER MBB; Friedrichstraße 31 80801 München, DE
Données relatives à la priorité :
201710897202.428.09.2017CN
Titre (EN) RADIATOR COMPONENT AND HEAT DISSIPATION SYSTEM FOR POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) COMPOSANT DE RADIATEUR ET SYSTÈME DE DISSIPATION DE CHALEUR POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Abrégé :
(EN) The implementation methods of the present invention disclose a radiator component and a heat dissipation system for a power semiconductor device. The radiator component for a power semiconductor device comprises: a heat dissipation body (I), comprising an inner-ring substrate (11), an outer-ring substrate (12), and a plurality of heat sinks (13), wherein the outer-ring substrate (12) surrounds the inner-ring substrate (II), the plurality of heat sinks (13) are arranged between the inner-ring substrate (11) and the outer-ring substrate (12), one or more first power semiconductor device arrangement positions (14) are provided on an inner circumferential surface of the inner-ring substrate (11), and one or more second power semiconductor device arrangement positions (15) are arranged on an outer circumferential surface of the outer-ring substrate (12); and a fan component (2). The implementation methods of the present invention can save on space, reduce costs, improve the heat dissipation efficiency, and avoid the problem of disturbances between a plurality of fans.
(FR) Les procédés de mise en œuvre de la présente invention concernent un composant de radiateur et un système de dissipation de chaleur pour un dispositif à semi-conducteur de puissance. Le composant de radiateur pour un dispositif à semi-conducteur de puissance comprend : un corps de dissipation de chaleur (I), comprenant un substrat de bague interne (11), un substrat de bague externe (12), et une pluralité de dissipateurs thermiques (13), le substrat de bague externe (12) entourant le substrat de bague interne (II), la pluralité de dissipateurs thermiques (13) étant disposés entre le substrat de bague interne (11) et le substrat de bague externe (12), une ou plusieurs premières positions d'agencement de dispositif à semi-conducteur de puissance (14) sont disposées sur une surface circonférentielle interne du substrat de bague interne (11), et une ou plusieurs secondes positions d'agencement de dispositif à semi-conducteur de puissance (15) sont disposées sur une surface circonférentielle externe du substrat de bague externe (12) ; et un composant de ventilateur (2). Les procédés de mise en œuvre de la présente invention peuvent économiser de l'espace, réduire les coûts, améliorer l'efficacité de dissipation de chaleur, et éviter le problème de perturbations entre une pluralité de ventilateurs.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)