Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019062365) FILM D’AMÉLIORATION DE POINTS QUANTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SOURCE DE RÉTROÉCLAIRAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/062365 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/100642
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 15.08.2018
CIB :
H01L 33/50 (2010.01) ,G02F 1/13357 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
[IPC code unknown for ERROR Code IPC incorrect: sous-groupe non valide (0=>999999)!]
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
福州京东方光电科技有限公司 FUZHOU BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国福建省福州市 福清市石竹街道西环北路36号 NO.36 Xihuanbei Rd., Dianthus Street, Fuqing Fuzhou, Fujian 350300, CN
Inventeurs :
范国凌 FAN, Guoling; CN
Mandataire :
北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 中国北京市 东城区建国门内大街28号民生金融中心D座10层陈源 Yuan CHEN 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
201710915833.430.09.2017CN
Titre (EN) QUANTUM DOT ENHANCEMENT FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, BACKLIGHT SOURCE, AND DISPLAY DEVICE
(FR) FILM D’AMÉLIORATION DE POINTS QUANTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SOURCE DE RÉTROÉCLAIRAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 量子点增强膜及其制备方法、背光源和显示装置
Abrégé :
(EN) The present disclosure discloses a quantum dot enhancement film comprising a matrix layer and a functional layer provided at at least one side in a thickness-direction of the matrix layer. The functional layer comprises position-limiting layers and quantum dot material layers stacked in an alternating manner in a thickness direction of the quantum dot enhancement film. The position-limiting layer comprises a hydrotalcite material and/or a hydrotalcite-like material. The present disclosure also discloses a backlight source, a manufacturing method of a quantum dot enhancement film, and a display device. When the quantum dot enhancement film is applied in a backlight source and/or a display device, fluorescence quenching does not occur easily.
(FR) La présente invention concerne un film d'amélioration de points quantiques comprenant une couche matricielle et une couche fonctionnelle disposée sur au moins un côté dans une direction d'épaisseur de la couche matricielle. La couche fonctionnelle comprend des couches de limitation de position et des couches de matériau à points quantiques empilées de manière alternée dans une direction d'épaisseur du film d'amélioration de points quantiques. La couche de limitation de position comprend un matériau d'hydrotalcite et/ou un matériau de type hydrotalcite. La présente invention concerne également une source de rétroéclairage, un procédé de fabrication d'un film d'amélioration de points quantiques, et un dispositif d'affichage. Lorsque le film d'amélioration de points quantiques est appliqué dans une source de rétroéclairage et/ou un dispositif d'affichage, une extinction de fluorescence ne se produit pas facilement.
(ZH) 本公开提供一种量子点增强膜,包括基体层和设置在所述基体层的厚度方向的至少一侧的功能层,其中,所述功能层包括沿所述量子点增强膜的厚度方向上交替层叠设置的限位层和量子点材料层,所述限位层包含水滑石材料和/或类水滑石材料。本公开还提供一种背光源、一种量子点增强膜的制备方法和一种显示装置。所述量子点增强膜用于背光源和/或显示装置时,不容易发生荧光淬灭现象。 (图1)
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)