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1. (WO2019062123) AMPLIFICATEUR D'OSCILLATION PRINCIPAL DE SEMI-CONDUCTEUR INTÉGRÉ MONOLITHIQUE 1X1
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N° de publication : WO/2019/062123 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/085656
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 04.05.2018
CIB :
H01S 5/50 (2006.01) ,H01S 5/00 (2006.01) ,H01S 5/32 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
50
Structures amplificatrices non prévues dans les groupes H01S5/02-H01S5/30108
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
30
Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
32
comprenant des jonctions PN, p.ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
Déposants :
北京万集科技股份有限公司 BEIJING WANJI TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 海淀区东北旺西路8号院中关村软件园12号楼万集空间 Wanji Space, Building 12 Zhongguancun Software Park No. 8 Dongbeiwang West Road, Haidian District Beijing 100193, CN
Inventeurs :
李召松 LI, Zhaosong; CN
徐洋 XU, Yang; CN
王鹏飞 WANG, Pengfei; CN
张冶金 ZHANG, Yejin; CN
于红艳 YU, Hongyan; CN
潘教青 PAN, Jiaoqing; CN
王庆飞 WANG, Qingfei; CN
田林岩 TIAN, Linyan; CN
Mandataire :
北京路浩知识产权代理有限公司 CN-KNOWHOW INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LIMITED; 中国北京市 海淀区丹棱街3号中国电子大厦B座18层 18th Floor, Tower B, CEC Plaza No. 3 Dan Ling Street, Haidian District Beijing 100080, CN
Données relatives à la priorité :
201710882607.026.09.2017CN
Titre (EN) MAIN OSCILLATION AMPLIFIER OF 1X1 MONOLITHIC INTEGRATED SEMICONDUCTOR
(FR) AMPLIFICATEUR D'OSCILLATION PRINCIPAL DE SEMI-CONDUCTEUR INTÉGRÉ MONOLITHIQUE 1X1
(ZH) 一种1x1型单片集成式半导体主振荡放大器
Abrégé :
(EN) Disclosed by the present invention is a main oscillation amplifier of a 1x1 monolithic integrated semiconductor. The main oscillation amplifier comprising: a main oscillator based on a semiconductor laser, which is used for producing a seed laser for fundamental transverse mode and single longitudinal mode; a semiconductor power amplifier based on a 1x1 multimode interference coupler, which used for amplifying the power of the seed laser. In the main oscillation amplifier of a 1x1 monolithic integrated semiconductor provided by the present invention, the main oscillator and semiconductor power amplifier are integrated on a semiconductor substrate, and the power of the seed laser produced by the main oscillator is amplified by means of the semiconductor power amplifier, increasing the area of an active region, thus the saturated output power of the power amplifier is increased, the influence of a thermal effect on devices is reduced and the coupling efficiency of the main oscillation amplifier and an optical fiber may be increased.
(FR) La présente invention concerne un amplificateur d'oscillation principal d'un semi-conducteur intégré monolithique 1x1. L'amplificateur d'oscillation principal comprend : un oscillateur principal basé sur un laser à semi-conducteur, qui est utilisé pour produire un laser à germe pour un mode transversal fondamental et un mode longitudinal unique ; un amplificateur de puissance à semi-conducteur basé sur un coupleur d'interférence multimode 1x1, qui est utilisé pour amplifier la puissance du laser à germe. Dans l'amplificateur d'oscillation principal d'un semi-conducteur intégré monolithique 1x1 selon la présente invention, l'oscillateur principal et l'amplificateur de puissance à semi-conducteur sont intégrés sur un substrat semi-conducteur, et la puissance du laser à germe produite par l'oscillateur principal est amplifiée au moyen de l'amplificateur de puissance à semi-conducteur, augmentant la surface d'une région active, ainsi la puissance de sortie saturée de l'amplificateur de puissance est augmentée, l'influence d'un effet thermique sur des dispositifs est réduite et l'efficacité de couplage de l'amplificateur d'oscillation principal et d'une fibre optique peut être augmentée.
(ZH) 本发明公开一种1x1型单片集成式半导体主振荡放大器。其中,所述主振荡放大器包括:基于半导体激光器的主振荡器,用于产生基横模和单纵模的种子激光;基于1x1多模干涉耦合器的半导体功率放大器,用于对所述种子激光进行功率放大。本发明提供的1x1型单片集成式半导体主振荡放大器,主振荡器和半导体功率放大器集成在半导体衬底上,主振荡器产生的种子激光通过半导体功率放大器进行功率放大,有源区面积增加,增加了功率放大器的饱和输出功率,降低热效应对器件的影响,并能够提高主振荡放大器与光纤的耦合效率。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)