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1. (WO2019062036) STRUCTURE ÉPITAXIALE DE DEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/062036 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/078656
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 12.03.2018
CIB :
H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
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ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H ÉLECTRICITÉ
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ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
Déposants :
厦门三安光电有限公司 XIAMEN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; 中国福建省厦门市 同安区洪塘镇民安大道841-899号 No.841-899, Min An Road, Hongtang Town, Tongan District Xiamen, Fujian 361100, CN
Inventeurs :
程志青 CHENG, Chih-Ching; CN
宋长伟 SONG, Changwei; CN
徐志波 XU, Zhibo; CN
林兓兓 LIN, Chan-Chan; CN
蔡吉明 TSAI, Chi-Ming; CN
Données relatives à la priorité :
201710886241.427.09.2017CN
Titre (EN) LED EPITAXIAL STRUCTURE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE ÉPITAXIALE DE DEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种LED外延结构及其制备方法
Abrégé :
(EN) An LED epitaxial structure, and manufacturing method thereof. A plurality of magnesium nitride compound-based nucleation structures (8) are inserted between an electron blocking layer (6) and an ultimate barrier layer (5), and the nucleation structures (8) are used as cores to grow a plurality of island structures (9). In this way, total internal reflection at an interface of the electron blocking layer (6) and the ultimate barrier layer (5) is reduced, such that a large portion of light emitted by a multi-quantum well light-emitting layer (4) can enter the electron blocking layer (6), thus improving light-emitting efficiency of the LED epitaxial structure. In addition, the electron blocking layer (6) is used to fill gaps between the island structures (9), thus creating a level surface of the LED epitaxial structure.
(FR) La présente invention concerne une structure épitaxiale de DEL et son procédé de fabrication. Une pluralité de structures de nucléation à base de composé de nitrure de magnésium (8) sont insérées entre une couche de blocage d'électrons (6) et une couche barrière ultime (5), et les structures de nucléation (8) sont utilisées en tant que noyaux pour faire croître une pluralité de structures d'îlot (9). De cette manière, la réflexion interne totale au niveau d'une interface de la couche de blocage d'électrons (6) et de la couche barrière finale (5) est réduite, de telle sorte qu'une grande partie de la lumière émise par une couche électroluminescente à puits quantiques multiples (4) peut entrer dans la couche de blocage d'électrons (6), améliorant ainsi l'efficacité d'électroluminescence de la structure épitaxiale de DEL. De plus, la couche de blocage d'électrons (6) est utilisée pour remplir des espaces entre les structures d'îlot (9), créant ainsi une surface plane de la structure épitaxiale de DEL.
(ZH) 一种LED外延结构及其制备方法,在电子阻挡层(6)与最后势垒层(5)之间插入复数个氮化镁化合物成核结构(8),并以此成核结构(8)为核心,生长复数个岛状结构(9),以减少光在电子阻挡层(6)与最后势垒层(5)界面处的全反射现象,使从多量子阱发光层(4)发出的光更多的进入电子阻挡层(6),进而提高LED外延结构的出光效率,并通过电子阻挡层(6)填平岛状结构(9),继而得到一表面平整的LED外延结构。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)