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1. (WO2019061813) SUBSTRAT TFT DU TYPE ESL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/061813 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/114428
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 04.12.2017
CIB :
H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 21/77 (2017.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
Déposants :
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区公明街道塘明大道9-2号 No. 9-2, Tangming Road, Gongming Street Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
石龙强 SHI, Longqiang; CN
Mandataire :
深圳市德力知识产权代理事务所 COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; 中国广东省深圳市 福田区上步中路深勘大厦15E Room 15E, Shenkan Building Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028, CN
Données relatives à la priorité :
201710900781.328.09.2017CN
Titre (EN) ESL-TYPE TFT SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) SUBSTRAT TFT DU TYPE ESL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) ESL型TFT基板及其制作方法
Abrégé :
(EN) Provided are an ESL-type TFT substrate and a manufacturing method therefor. According to the ESL-type TFT substrate, conducted regions subjected to plasma doping are formed on two sides of an active layer (20), and the distance between the two regions, i.e., the width (L0) of a channel region (203) is less than the distance (L1) between a source electrode (41) and a drain electrode (42), so that a relatively small actual channel length is provided, and current increase of the source electrode (41) and the drain electrode (42) can be facilitated, and the problem of small current of the source electrode (41) and the drain electrode (42) of an existing ESL-type TFT substrate can be solved. The method for manufacturing the ESL-type TFT substrate comprises: performing plasma doping on regions on two sides of an active layer (20) to form conducted regions, and setting the distance between the two regions, i.e., the width (L0) of a channel region (203) to be less than the distance (L1) between a source electrode (41) and a drain electrode (42), so that the actual channel length of TFT can be reduced, the current increase of the source electrode (41) and the drain electrode (42) can be facilitated, and the problem of small current of the source electrode (41) and the drain electrode (42) of an existing ESL-type TFT substrate can be solved.
(FR) La présente invention concerne un substrat TFT du type ESL et son procédé de fabrication. Selon le substrat TFT du type ESL, des régions conduites soumises à un dopage par plasma sont formées sur deux côtés d'une couche active (20), et la distance entre les deux régions, c'est-à-dire la largeur (L0) d'une région de canal (203) est inférieure à la distance (L1) entre une électrode de source (41) et une électrode de drain (42), de telle sorte qu'une longueur de canal réelle relativement petite est fournie, et une augmentation de courant de l'électrode de source (41) et de l'électrode de drain (42) peut être facilitée, et le problème de faible courant de l'électrode de source (41) et de L'électrode de drain (42) d'un substrat de TFT du type ESL existant peut être résolu. Le procédé de fabrication du substrat TFT du Type ESL consiste à : réaliser un dopage par plasma sur des régions sur deux côtés d'une couche active (20) pour former des régions conduites, et régler la distance entre les deux régions, c'est-à-dire que la largeur (L0) d'une région de canal (203) est inférieure à la distance (L1) entre une électrode de source (41) et une électrode de drain (42), de telle sorte que la longueur de canal réelle du TFT peut être réduite, l'augmentation de courant de l'électrode de source (41) et l'électrode de drain (42) peut être facilitée, et le problème de faible courant de l'électrode de source (41) et de L'électrode de drain (42) d'un substrat TFT du type ESL existant peut être résolu.
(ZH) 提供一种ESL型TFT基板及其制作方法。ESL型TFT基板,有源层(20)的两侧区域为经等离子掺杂处理而导体化的区域,且该两侧区域之间的距离即沟道区(203)的宽度(L0)小于源漏极(41)、(42)之间的距离(L1),从而具有较小的实际沟道长度,利于源漏极(41)、(42)电流的提高,解决了现有ESL型TFT基板源漏极(41)、(42)电流小的问题。ESL型TFT基板的制作方法通过对有源层(20)的两侧区域进行等离子掺杂处理而使其成为导体化的区域,并且设置该两侧区域之间的距离即沟道区(203)的宽度(L0)小于源漏极(41)、(42)之间的距离(L1),从而能够减小TFT的实际沟道长度,利于源漏极(41)、(42)电流的提高,解决了现有ESL型TFT基板源漏极(41)、(42)电流小的问题。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)