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1. (WO2019061779) SUBSTRAT DE RÉSEAU, PLAQUE DE MASQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE RÉSEAU
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N° de publication : WO/2019/061779 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/112849
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 24.11.2017
CIB :
H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 21/77 (2017.01) ,G03F 1/38 (2012.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
38
Masques à caractéristiques supplémentaires, p.ex. marquages pour l'alignement ou les tests, ou couches particulières; Leur préparation
Déposants :
武汉华星光电技术有限公司 WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; 中国湖北省武汉市 武汉东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 Building C5, Biolake of Optics Valley, No.666 Gaoxin Avenue, Wuhan East Lake High-tech Development Zone Wuhan, Hubei 430070, CN
Inventeurs :
刘兴华 LIU, Xinghua; CN
Mandataire :
广州三环专利商标代理有限公司 SCIHEAD IP LAW FIRM; 中国广东省广州市 越秀区先烈中路80号汇华商贸大厦1508室 Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80, XianLie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070, CN
Données relatives à la priorité :
201710892062.127.09.2017CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE, MASK PLATE AND METHOD FOR MANUFACTURING ARRAY SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU, PLAQUE DE MASQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE RÉSEAU
(ZH) 一种阵列基板、掩膜板及阵列基板制作方法
Abrégé :
(EN) Provided is an array substrate, comprising a substrate (1), a thin film transistor layer provided on the substrate (1), and a planarization layer (5) provided above the thin film transistor layer. Bumps (51) are formed on the surface of one side, away from the thin film transistor layer, of the planarization layer (5). By means of providing the bumps (51) and by forming a diffuse reflection layer by means of the bumps (51) on the surface of the planarization layer (5), the light reflection phenomenon can be weakened and the backlight requirements can be reduced. Further provided are a mask plate and a method for manufacturing an array substrate using the mask plate.
(FR) L'invention concerne un substrat de réseau, comprenant un substrat (1), une couche de transistor à couches minces disposée sur le substrat (1), et une couche de planarisation (5) disposée au-dessus de la couche de transistor à couches minces. Des bosses (51) sont formées sur la surface d'un côté, à l'opposé de la couche de transistor à couches minces, de la couche de planarisation (5). Au moyen des bosses (51) et en formant une couche de réflexion diffuse au moyen des bosses (51) sur la surface de la couche de planarisation (5), le phénomène de réflexion de lumière peut être affaibli et les exigences de rétroéclairage peuvent être réduites. L'invention concerne en outre une plaque de masque et un procédé de fabrication de substrat utilisant la plaque de masque.
(ZH) 提供一种阵列基板,包括基板(1)、设置基板(1)上的薄膜晶体管层以及设于薄膜晶体管层上方的平坦层(5);平坦层(5)远离薄膜晶体管层的一侧表面形成有凸点(51)。通过设置凸点(51),通过平坦层(5)表面的凸点(51)形成漫反射层,可以弱化反光现象和降低背光需求。还提供一种掩膜板以及利用该掩膜板来制备阵列基板的方法。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)