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1. (WO2019061778) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, MASQUE, TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2019/061778 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/112848
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 24.11.2017
CIB :
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
武汉华星光电技术有限公司 WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; 中国湖北省武汉市 武汉东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 Building C5, Biolake of Optics Valley, No.666 Gaoxin Avenue Wuhan East Lake High-Tech Development Zone Wuhan, Hubei 430070, CN
Inventeurs :
丁奇 DING, Qi; CN
张占东 ZHANG, Zhandong; CN
王丽 WANG, Li; CN
Mandataire :
广州三环专利商标代理有限公司 SCIHEAD IP LAW FIRM; 中国广东省广州市 越秀区先烈中路80号汇华商贸大厦1508室 Room 1508 Huihua Commercial & Trade Building No. 80 XianLie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070, CN
Données relatives à la priorité :
201710899582.528.09.2017CN
Titre (EN) METHOD FOR PREPARING THIN FILM TRANSISTOR, MASK, THIN FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, MASQUE, TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管的制备方法、光罩、薄膜晶体管及显示装置
Abrégé :
(EN) A method for preparing a thin film transistor. The method comprises: providing a substrate (2), forming a film layer (4) on the substrate, and coating a photoresist material onto the film layer to form a photoresist layer (5); and exposing the photoresist layer using a mask (10), wherein the mask comprises a center region (101) and an edge region (102). The edge region surrounds the center region, and the thickness of the center region is greater than the thickness of the edge region. During the exposure process of the photoresist layer, the load effect is counteracted by the thickness of the center region being greater than the thickness of the edge region, such that the film layer has a uniform thickness. Also provided are a mask, a thin film transistor and a display device.
(FR) L'invention concerne un procédé de préparation d'un transistor à couches minces. Le procédé consiste à : utiliser un substrat (2), former une couche pelliculaire (4) sur le substrat, et appliquer un revêtement d'un matériau de résine photosensible sur la couche pelliculaire pour former une couche de résine photosensible (5) ; et exposer la couche de résine photosensible à l'aide d'un masque (10), le masque comprenant une région centrale (101) et une région de bord (102). La région de bord entoure la région centrale, et l'épaisseur de la région centrale est supérieure à l'épaisseur de la région de bord. Pendant le processus d'exposition de la couche de résine photosensible, l'effet de charge est compensé par l'épaisseur de la région centrale supérieure à l'épaisseur de la région de bord, de sorte que la couche pelliculaire ait une épaisseur uniforme. L'invention concerne également un masque, un transistor à couches minces et un dispositif d'affichage.
(ZH) 一种薄膜晶体管的制备方法,包括:提供基板(2),基板上形成膜层(4),将光阻材料涂布在膜层上形成光阻层(5);使用光罩(10)对光阻层进行曝光处理,光罩包括中心区域(101)和边缘区域(102),边缘区域包围中心区域,中心区域的厚度大于边缘区域的厚度,在对光阻层曝光处理过程中,通过中心区域的厚度大于边缘区域的厚度,抵消显影过程中的负载效应,使得膜层的厚度均匀。还提供了一种光罩、薄膜晶体管及显示装置。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)