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1. (WO2019061753) DISPOSITIF OLED TOUT EN SOLUTION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/061753 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/111968
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 20.11.2017
CIB :
H01L 51/50 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
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spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
Déposants :
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区公明街道塘明大道9-2号 No.9-2, Tangming Road, Gongming Street, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
史婷 SHI, Ting; CN
Mandataire :
深圳市德力知识产权代理事务所 COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; 中国广东省深圳市 福田区上步中路深勘大厦15E Room 15E Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028, CN
Données relatives à la priorité :
201710911807.429.09.2017CN
Titre (EN) ALL-SOLUTION OLED DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF OLED TOUT EN SOLUTION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 全溶液OLED器件及其制作方法
Abrégé :
(EN) An all-solution OLED device and a manufacturing method therefor. The manufacturing method relates to manufacturing a hole injection layer (50), a hole transmission layer (60), a light emitting layer (70), an electron transport layer (80), and a cathode (90) by using a solution film forming method, such that all-solution manufacturing of the electron transport layer (80) and the cathode (90) is achieved, the use of a high vacuum evaporation process and device can be avoided, materials are saved, and manufacturing costs are reduced; moreover, there is no mutual dissolution between adjacent structural layers, the film forming quality is high, and the device performance is effectively improved; since the hole injection layer (50), the hole transmission layer (60), the light emitting layer (70), the electron transport layer (80), and the cathode (90) in the all-solution OLED device are all manufactured by using the solution film forming method, the manufacturing costs are low, the film forming quality is high, and the display quality is excellent.
(FR) La présente invention concerne un dispositif OLED tout en solution et son procédé de fabrication. Le procédé de fabrication concerne la fabrication d'une couche d'injection de trous (50), d'une couche de transmission de trous (60), d'une couche électroluminescente (70), d'une couche de transport d'électrons (80) et d'une cathode (90) à l'aide d'un procédé de formation de film de solution, de telle sorte que la fabrication tout en solution de la couche de transport d'électrons (80) et de la cathode (90) est obtenue, l'utilisation d'un procédé et d'un dispositif d'évaporation sous vide élevé peut être évitée, les matériaux sont économisés, et les coûts de fabrication sont réduits ; de plus, il n'y a pas de dissolution mutuelle entre des couches structurales adjacentes, la qualité de formation de film est élevée, et les performances du dispositif sont efficacement améliorées ; étant donné que la couche d'injection de trous (50), la couche de transmission de trous (60), la couche électroluminescente (70), la couche de transport d'électrons (80) et la cathode (90) dans le dispositif OLED tout en solution sont toutes fabriquées au moyen du procédé de formation de film de solution, les coûts de fabrication sont faibles, la qualité de formation de film est élevée, et la qualité d'affichage est excellente.
(ZH) 一种全溶液OLED器件及其制作方法,该制作方法采用溶液成膜方法制备空穴注入层(50)、空穴传输层(60)、发光层(70)、电子传输层(80)及阴极(90),实现了电子传输层(80)与阴极(90)的全溶液制备,能够避免使用高真空蒸镀制程及设备,节约材料,降低制作成本;并且相邻结构层之间不会出现互溶现象,成膜质量高,有效提高器件性能;该全溶液OLED器件中的空穴注入层(50)、空穴传输层(60)、发光层(70)、电子传输层(80)及阴极(90)均采用溶液成膜方法制备,制备成本低,成膜质量高,并具有优异的显示品质。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)