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1. (WO2019061751) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE RÉSEAU DE TFT, ET STRUCTURE DE SUBSTRAT DE RÉSEAU DE TFT
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N° de publication : WO/2019/061751 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/111963
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 20.11.2017
CIB :
H01L 21/77 (2017.01) ,G02F 1/1362 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
Déposants :
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区公明街道塘明大道9-2号 No.9-2, Tangming Road Gongming Street, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
叶岩溪 YE, Yanxi; CN
Mandataire :
深圳市德力知识产权代理事务所 COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; 中国广东省深圳市 福田区上步中路深勘大厦15E Room 15E, Shenkan Building Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028, CN
Données relatives à la priorité :
201710901865.928.09.2017CN
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD OF TFT ARRAY SUBSTRATE AND STRUCTURE OF TFT ARRAY SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE RÉSEAU DE TFT, ET STRUCTURE DE SUBSTRAT DE RÉSEAU DE TFT
(ZH) TFT基板的制作方法及其结构
Abrégé :
(EN) A manufacturing method of a TFT array substrate and a structure of the TFT array substrate. The manufacturing method of the TFT array substrate comprises: depositing a black photoresist on a second passivation layer (PV2), and performing patterning; and after a main photo spacer (61), a sub photo spacer (62) and a black matrix (63) have been integrally formed, depositing a transparent electrically-conductive film, and performing patterning to form a pixel electrode (71) and a common electrode (72). Since the integrally formed main photo spacer (61), sub photo spacer (62) and black matrix (63) fill in and cover a recess formed after a color resist has been removed from a region where the black matrix (63) is located, the black matrix (63) on which the pixel electrode (71) and the common electrode (72) are formed is flatter, thereby preventing a problem in which an excessively steep edge slope of a color resist results in generation of residues of an electrically-conductive film after etching, and preventing short circuits of the pixel electrode (71) and the common electrode (72).
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de réseau de TFT et une structure de substrat de réseau de TFT. Le procédé de fabrication du substrat de réseau de TFT consiste : à déposer une résine photosensible noire sur une seconde couche de passivation (PV2), et à former un motif ; et après formation d'un seul tenant d'un photo-espaceur principal (61), d'un sous-photo-espaceur (62) et d'une matrice noire (63), à déposer un film électroconducteur transparent, et à former un motif de façon à former une électrode pixel (71) et une électrode commune (72). Étant donné que le photo-espaceur principal (61), le sous-photo-espaceur (62) et la matrice noire formés d'un seul tenant (63) remplissent et recouvrent un évidement formé après élimination d'une réserve de couleur d'une région où se trouve la matrice noire (63), la matrice noire (63) sur laquelle sont formées l'électrode pixel (71) et l'électrode commune (72) est plus plate, ce qui permet d'empêcher un problème selon lequel une pente de bord excessivement abrupte d'une réserve de couleur entraîne la génération de résidus d'un film électroconducteur après gravure, et d'empêcher des courts-circuits de l'électrode pixel (71) et de l'électrode commune (72).
(ZH) 一种TFT基板的制作方法及其结构。该TFT基板的制作方法在第二钝化层(PV2)上沉积覆盖黑色光阻并进行图案化处理,形成一体式的主光阻间隔物(61)、次光阻间隔物(62)与黑色矩阵(63)之后,再沉积覆盖透明导电薄膜并进行图案化处理,形成像素电极(71)与公共电极(72),由于一体式的主光阻间隔物(61)、次光阻间隔物(62)与黑色矩阵(63)填充、覆盖了黑色矩阵(63)所在区域内的色阻被挖开的空间,使得像素电极(71)与公共电极(72)形成在较平坦的黑色矩阵(63)上,能够避免由于色阻边缘斜坡过陡导致的导电薄膜蚀刻残留的问题,防止像素电极(71)与公共电极(72)短路。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)