Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019061711) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT MATRICIEL DE TRANSISTOR DE FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/061711 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/110200
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 09.11.2017
CIB :
H01L 27/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
Déposants :
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区公明街道塘明大道9-2号 No. 9-2 Tangming Road,Gongming Street Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
方俊雄 FANG, Chun-Hsiung; CN
吕伯彦 LU, Po-Yen; CN
Mandataire :
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) ESSEN PATENT & TRADEMARK AGENCY; 中国广东省深圳市 福田区深南大道6021号喜年中心A座1709-1711 Hailrun Complex Block A Room 1709-1711 No. 6021 Shennan Blvd., Futian District Shenzhen, Guangdong 518040, CN
Données relatives à la priorité :
201710916437.330.09.2017CN
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT MATRICIEL DE TRANSISTOR DE FILM MINCE
(ZH) 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法
Abrégé :
(EN) A manufacturing method of a thin film transistor array substrate, the method comprising: depositing, before depositing an active metal layer, a first photoresist layer (206) on a substrate, exposing and developing the first photoresist layer, removing, by means of a lift-off process, the first photoresist layer and an active metal on a surface of a gate layer, such that the surface of the gate layer is not covered by the active metal, and enabling, by means of a predetermined process step, the active metal to undergo a chemical reaction with a portion of an active layer (203).
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat matriciel de transistor de film mince, le procédé consistant : à déposer, avant dépôt d'une couche de métal active, une première couche de résine photosensible (206) sur un substrat, à exposer et à développer la première couche de résine photosensible, à supprimer, au moyen d'un processus de décollement, la première couche de résine photosensible et un métal actif sur une surface d'une couche de grille, de telle sorte que la surface de la couche de grille n'est pas recouverte par le métal actif, et à permettre, au moyen d'une étape de processus prédéterminé, au métal actif de subir une réaction chimique avec une partie d'une couche active (203).
(ZH) 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法,在沉积活性金属层之前,在衬底基板上沉积第一光阻层(206),对第一光阻层曝光、显影后,通过剥离工艺将栅极层表面的第一光阻层与活性金属剥离,使得栅极层表面未被活性金属所覆盖,并利用预定工序使活性金属与部分有源层(203)发生化学反应。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)