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1. (WO2019061586) PANNEAU D'AFFICHAGE, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN TRANSISTOR EN COUCHES MINCES DE POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE
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N° de publication : WO/2019/061586 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/106736
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 18.10.2017
CIB :
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
Déposants :
武汉华星光电技术有限公司 WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; 中国湖北省武汉市 武汉东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 Building C5, Biolake of Optics Valley No.666 Gaoxin Avenue, Wuhan East Lake High-Tech Development Zone Wuhan, Hubei 430000, CN
Inventeurs :
张嘉伟 ZHANG, Jiawei; CN
Mandataire :
广州三环专利商标代理有限公司 SCIHEAD IP LAW FIRM; 中国广东省广州市 越秀区先烈中路80号汇华商贸大厦1508室 Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No.80, Xian Lie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070, CN
Données relatives à la priorité :
201710883918.926.09.2017CN
Titre (EN) DISPLAY PANEL, DISPLAY DEVICE AND PREPARATION METHOD OF LOW TEMPERATURE POLY-SILICON THIN FILM TRANSISTOR
(FR) PANNEAU D'AFFICHAGE, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN TRANSISTOR EN COUCHES MINCES DE POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE
(ZH) 显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法
Abrégé :
(EN) The invention provides a display panel, a display device and a preparation method of a low temperature poly-silicon thin film transistor (LTPS-TFT). The preparation method comprises: providing a base substrate; forming a semiconductor layer on the base substrate; forming a first insulating layer on the semiconductor layer; forming a first metal layer on the first insulating layer and patterning the first metal layer to obtain a first metal gate layer; forming a second insulating layer on the first metal layer; forming a second metal layer on the second insulating layer and patterning the second metal layer to obtain a second metal gate layer, wherein the first metal gate layer and the second metal gate layer are connected; forming a third insulating layer on the second metal layer; forming a third metal layer on the third insulating layer and patterning the third metal layer to form a source and a drain, wherein the source and the drain are connected to the semiconductor layer. The LTPS technology of the present invention can be applied to the production of large-sized panels.
(FR) L'invention porte sur un panneau d'affichage, sur un dispositif d'affichage et sur un procédé de préparation d'un transistor en couches minces de polysilicium basse température (LTPS-TFT). Le procédé de préparation consiste : à fournir un substrat de base ; à former une couche semi-conductrice sur le substrat de base ; à former une première couche isolante sur la couche semi-conductrice ; à former une première couche métallique sur la première couche isolante puis à former des motifs sur la première couche métallique de façon à obtenir une première couche de grille métallique ; à former une deuxième couche isolante sur la première couche métallique ; à former une deuxième couche métallique sur la deuxième couche isolante puis à former des motifs sur la deuxième couche métallique de façon à obtenir une deuxième couche de grille métallique, les première et deuxième couches de grille métallique étant connectées ; à former une troisième couche isolante sur la deuxième couche métallique ; à former une troisième couche métallique sur la troisième couche isolante puis à former des motifs sur la troisième couche métallique de façon à former une source et un drain, la source et le drain étant connectés à la couche semi-conductrice. La technologie LTPS de la présente invention peut être appliquée à la production de panneaux de grandes dimensions.
(ZH) 本发明提供一种显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管制备方法。所述制备方法包括:提供一衬底基板;在衬底基板上形成半导体层;在半导体层上形成第一绝缘层;在第一绝缘层上形成第一金属层,并对第一金属层进行图形化处理,以得到第一金属栅极层;在第一金属层上形成第二绝缘层;在第二绝缘层上形成第二金属层,并对第二金属层进行图形化处理,得到第二金属栅极层,其中,第一金属栅极层和第二金属栅极层连接;在第二金属层上形成第三绝缘层;在第三绝缘层上形成第三金属层,并对第三金属层进行图形化处理,以形成源极和漏极,其中,源极和漏极与半导体层连接。采用本发明可将LTPS技术应用于大尺寸面板生产中。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)