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1. (WO2019061231) CARTE MÉMOIRE ET BORNE
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N° de publication : WO/2019/061231 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/104224
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
G01C 17/32 (2006.01) ,H04M 1/02 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
C
MESURE DES DISTANCES, DES NIVEAUX OU DES RELÈVEMENTS; GÉODÉSIE; NAVIGATION; INSTRUMENTS GYROSCOPIQUES; PHOTOGRAMMÉTRIE OU VIDÉOGRAMMÉTRIE
17
Compas; Dispositifs pour déterminer le nord vrai ou le nord magnétique pour les besoins de la navigation ou de la géodésie
02
Compas magnétiques
28
Compas électromagnétiques
32
Compas électroniques
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
M
COMMUNICATIONS TÉLÉPHONIQUES
1
Équipement de sous-station, p.ex. pour utilisation par l'abonné
02
Caractéristiques de structure des appareils téléphoniques
Déposants :
深圳传音制造有限公司 SHENZHEN TRANSSION MANUFACTURE LIMITED [CN/CN]; 中国广东省深圳市 南山区粤海街道深圳湾科技生态园9栋B座16层01-07号房 Rooms 01-07, 14/F, Unit B, Building No. 9 Shenzhen Bay Eco-Technology Park Yuehai Street, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Inventeurs :
丁泽楠 DING, Zenan; CN
Mandataire :
上海波拓知识产权代理有限公司 PSHIP FIRM, LLC.; 中国上海市 静安区沪太路315弄2号19F Room 19F, No. 2, 315 Lane Hutai Road, Jingan District Shanghai 200070, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MEMORY CARD AND TERMINAL
(FR) CARTE MÉMOIRE ET BORNE
(ZH) 存储卡及终端
Abrégé :
(EN) The present application relates to a memory card and a terminal. The memory card comprises a memory circuit, an electronic M-sensor circuit, a first capacitor, a second capacitor, and a first resistor. A digital power terminal of the memory circuit receives an external first reference voltage and is grounded via the first capacitor, a digital ground of the memory circuit is grounded, and a break terminal of the memory circuit receives an external second reference voltage via the first resistor and is electrically connected to the digital ground of the memory circuit via a normally open switch. A digital ground of the electronic M-sensor circuit is electrically connected to the digital ground of the memory circuit, and a digital power terminal of the electronic M-sensor circuit receives the external second reference voltage and is grounded via the second capacitor. A serial data line of the electronic M-sensor circuit is electrically connected to a serial data interface of the memory card, and a serial clock line of the electronic M-sensor circuit is electrically connected to a serial clock interface of the memory card.
(FR) L'invention concerne une carte mémoire et une borne. La carte mémoire comprend un circuit de mémoire, un circuit de capteur M électronique, un premier condensateur, un second condensateur et une première résistance. Une borne d'alimentation numérique du circuit de mémoire reçoit une première tension de référence externe et est mise à la terre par le biais du premier condensateur; une masse numérique du circuit de mémoire est mise à la terre; et une borne de rupture du circuit de mémoire reçoit une seconde tension de référence externe par le biais de la première résistance, et est électriquement raccordée à la masse numérique du circuit de mémoire par le biais d'un commutateur normalement ouvert. Une masse numérique du circuit de capteur M électronique est raccordée électriquement à la masse numérique du circuit de mémoire, et une borne d'alimentation numérique du circuit de capteur M électronique reçoit la seconde tension de référence externe et est mise à la terre par le biais du second condensateur. Une ligne de données série du circuit de capteur M électronique est raccordée électriquement à une interface de données série de la carte mémoire, et une ligne d'horloge série du circuit de capteur M électronique est raccordée électriquement à une interface d'horloge série de la carte mémoire.
(ZH) 本申请涉及一种存储卡及终端,包括存储电路、电子罗盘电路、第一电容、第二电容及第一电阻,存储电路的数字电源端接收外部第一参考电压,存储电路的数字电源端还经由第一电容接地,存储电路的数字地端接地,存储电路的中断端经由第一电阻接收外部第二参考电压,存储电路的中断端经由常开开关电连接至存储电路的数字地端,电子罗盘电路的数字地端与存储电路的数字地端电连接,电子罗盘电路的数字电源端接收外部第二参考电压,数字电源端还经由第二电容接地,电子罗盘电路的串行数据线电连接至存储卡的串行数据接口,电子罗盘电路的串行时钟线电连接至存储卡的串行时钟接口。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)