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1. (WO2019061171) PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE MICRO-DEL, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2019/061171 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/104036
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
Déposants :
GOERTEK. INC [CN/CN]; No.268 Dongfang Road, Hi-Tech Industry District Weifang, Shandong 261031, CN
Inventeurs :
ZOU, Quanbo; CN
Mandataire :
BEYOND TALENT PATENT AGENT FIRM; Room 1202, Kuntai Building #10 Chaoyangmenwai Str., Chaoyang District Beijing 100020, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MICRO-LED TRANSFER METHOD, MUNUFACTURING METHOD AND DISPLAY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE MICRO-DEL, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Abrégé :
(EN) A micro-LED transfer method, manufacturing method and display device are disclosed. The method comprises: coating conductive photoresist(205) on a receiving substrate(201), wherein the conductive photoresist is positive-tone photoresist; bonding a carrier substrate(203) with the receiving substrate via the conductive photoresist, wherein metal electrodes(208) of micro-LEDs(206) on the carrier substrate are aligned with electrodes(204) on the receiving substrate and are bonded with the electrodes on the receiving substrate via the conductive photoresist, and the carrier substrate is a transparent substrate; selectively lifting-off micro-LEDs from the carrier substrate through laser lifting-off using a first laser; and separating the carrier substrate from the receiving substrate.
(FR) L'invention concerne un procédé de transfert de micro-diodes électroluminescentes (micro-DEL), un procédé de fabrication et un dispositif d'affichage. Le procédé consiste à : appliquer un revêtement d'une résine photosensible conductrice (205) sur un substrat récepteur (201), la résine photosensible conductrice étant une résine photosensible positive ; coller un substrat porteur (203) au substrat récepteur par l'intermédiaire de la résine photosensible conductrice, des électrodes métalliques (208) de micro-DEL (206) sur le substrat porteur étant alignées avec des électrodes (204) sur le substrat récepteur et étant collées aux électrodes sur le substrat récepteur par l'intermédiaire de la résine photosensible conductrice, et le substrat porteur étant un substrat transparent ; décoller sélectivement des micro-DEL du substrat porteur au moyen d'un décollement laser à l'aide d'un premier laser ; et séparer le substrat porteur du substrat récepteur.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)