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1. WO2019060570 - PROCÉDÉS DE COUCHAGE DE PHOTORÉSINE À L'AIDE D'EXPOSITIONS À HAUTE DENSITÉ

Numéro de publication WO/2019/060570
Date de publication 28.03.2019
N° de la demande internationale PCT/US2018/051988
Date du dépôt international 20.09.2018
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
G03F 7/38 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
38Traitement avant le dépouillement selon l'image, p.ex. préchauffage
CPC
G03F 7/0045
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
0045with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
G03F 7/091
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
091characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
G03F 7/2022
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
G03F 7/40
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
G03F 7/70033
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70008Production of exposure light, i.e. light sources
70033by plasma EUV sources
Déposants
  • TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US]/[US] (JP)
Inventeurs
  • CARCASI, Michael, A.
  • SOMERVELL, Mark, H.
  • NAGAHARA, Seiji
Mandataires
  • DAVIDSON, Kristi, L.
  • AHRENS, Gregory, F.
  • ARDIZZONE, Timothy, D.
  • BENNINTENDI, Steven, W.
  • BELLAMY, Glenn, D.
Données relatives à la priorité
62/562,18722.09.2017US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHODS FOR SENSITIZING PHOTORESIST USING FLOOD EXPOSURES
(FR) PROCÉDÉS DE COUCHAGE DE PHOTORÉSINE À L'AIDE D'EXPOSITIONS À HAUTE DENSITÉ
Abrégé
(EN)
A patterning method is provided in which a light-sensitive layer is formed, and a target resolution is defined for a pattern to be formed in a target layer. Based on a reference dose and reference LWR that results from a single patterning exposure at an EUV wavelength, the target resolution and reference dose, the light-sensitive layer is subjected to at least two radiation exposures including an EUV patterning exposure at a dose selected to be less than the reference dose and within 15 mJ/cm2 - 200 mJ/cm2, and a flood exposure at a wavelength of 200nm - 420nm and a dose of 0.5 J/cm2 - 20 J/cm2. The light-sensitive layer is then developed to form a mask pattern, which is used to etch the pattern into the target layer with the target resolution and a LWR less than or approximately equal to the reference LWR and <5nm.
(FR)
L'invention concerne un procédé de formation de motifs dans lequel une couche sensible à la lumière est formée, ainsi que la définition d'une résolution cible pour un motif devant être formé dans une couche cible. Sur la base d'une dose de référence et d'un LWR de référence qui résulte d'une seule exposition de motif à une longueur d'onde EUV, la résolution cible et la dose de référence, la couche sensible à la lumière est soumise à au moins deux expositions comprenant une exposition EUV de formation de motif à une dose établie de façon à être inférieure à la dose de référence et comprise entre 15 mJ/cm2 et 200 mJ/cm2 inclusivement, et une exposition à haute densité à une longueur d'onde comprise entre 200 nm et 420 nm inclusivement et dans une dose comprise entre 0,5 J/cm2 et 20 J/cm2 inclusivement. La couche photosensible est ensuite développée pour former un motif de masque qui est utilisé pour graver le motif dans la couche cible avec la résolution cible et avec un LWR inférieur ou approximativement égal au LWR de référence tout en étant inférieur à 5 nm.
Également publié en tant que
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