Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2019059210 - COMPOSITION DE FORMATION DE FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE

Numéro de publication WO/2019/059210
Date de publication 28.03.2019
N° de la demande internationale PCT/JP2018/034584
Date du dépôt international 19.09.2018
CIB
G03F 7/11 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
09caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
11avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage
C08G 59/14 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
GCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
59Polycondensats contenant plusieurs groupes époxyde par molécule; Macromolécules obtenues par réaction de polycondensats polyépoxydés avec des composés monofonctionnels à bas poids moléculaire; Macromolécules obtenues par polymérisation de composés contenant plusieurs groupes époxyde par molécule en utilisant des agents de durcissement ou des catalyseurs qui réagissent avec les groupes époxyde
14Polycondensats modifiés par post-traitement chimique
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
G03F 7/26 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
CPC
C08G 59/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
59Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule
14Polycondensates modified by chemical after-treatment
C09D 163/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
163Coating compositions based on epoxy resins; Coating compositions based on derivatives of epoxy resins
04Epoxynovolacs
G03F 7/094
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
094Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
G03F 7/11
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
11having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
G03F 7/162
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
16Coating processes; Apparatus therefor
162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
G03F 7/168
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
16Coating processes; Apparatus therefor
168Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
Déposants
  • 日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 田村 護 TAMURA Mamoru
  • 緒方 裕斗 OGATA Hiroto
  • 岸岡 高広 KISHIOKA Takahiro
Mandataires
  • 特許業務法人 津国 TSUKUNI & ASSOCIATES
  • 山村 大介 YAMAMURA Daisuke
Données relatives à la priorité
2017-18240322.09.2017JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE
(JA) レジスト下層膜形成組成物
Abrégé
(EN)
This resist underlayer film forming composition contains a resin containing a unit structure represented by formula (1): [in formula (1), R1 represents a thiadiazole group which is optionally substituted with a C1-6 alkyl group optionally interrupted by a carboxy group, a C1-6 alkyl group optionally substituted with a hydroxyl group, or a C1-4 alkylthio group, and R2 represents a hydrogen atom or formula (2): (in formula (2), R1 is the same as defined above, and * represents a binding moiety)]. The resist underlayer film forming composition provides a resist underlayer film which has excellent solvent resistance, excellent optical parameters, an excellent dry etching rate, and excellent embeddability.
(FR)
L'invention concerne une composition de formation de film de sous-couche de réserve, contenant une résine contenant un motif structural représenté par la formule (1) : [dans la formule (1), R1 représente un groupe thiadiazole qui est éventuellement substitué par un groupe alkyle en C1 à 6 éventuellement interrompu par un groupe carboxy, un groupe alkyle en C1 à 6 éventuellement substitué par un groupe hydroxyle, ou un groupe alkylthio en C1 à 4, et R2 représente un atome d'hydrogène] ou par la formule (2) : [dans la formule (2), R1 est le même que défini ci-dessus, et * représente une fraction de liaison)]. La composition de formation de film de sous-couche de réserve permet d'obtenir un film de sous-couche de réserve qui présente une excellente résistance aux solvants, d'excellents paramètres optiques, un excellent taux de gravure à sec, et une excellente aptitude à l'incorporation.
(JA)
下記式(1): [式(1)中、 Rは、カルボキシ基で中断されていてもよいC1~6アルキル基、ヒドロキシ基で置換されていてもよいC1~6アルキル基又はC1~4アルキルチオ基で置換されていてもよいチアジアゾール基を表し、 Rは、水素原子又は下記式(2): (式(2)中、Rの定義は上記と同一である。*は結合部分を表す。) を表す。] で表される単位構造を含む樹脂を含む、レジスト下層膜形成組成物は、溶剤耐性、光学パラメーター、ドライエッチング速度、及び埋め込み性のすべての特性において優れるレジスト下層膜を与える。
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international