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1. WO2019056012 - VCSEL AVEC OUVERTURE ELLIPTIQUE AYANT UN RIN RÉDUIT

Numéro de publication WO/2019/056012
Date de publication 21.03.2019
N° de la demande internationale PCT/US2018/051585
Date du dépôt international 18.09.2018
CIB
H01S 5/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
H01S 5/183 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
18Lasers à émission de surface
183ayant une cavité verticale
H01S 5/42 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
40Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes H01S5/02-H01S5/30130
42Réseaux de lasers à émission de surface
CPC
H01S 2301/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
2301Functional characteristics
02ASE (amplified spontaneous emission), noise; Reduction thereof
H01S 5/0014
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
0014Measuring characteristics or properties thereof
H01S 5/0035
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
0014Measuring characteristics or properties thereof
0035Simulations of laser characteristics
H01S 5/02248
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
02236Mounts or sub-mounts
02248Mechanically integrated components on a mount or an optical microbench, e.g. optical components, detectors, etc.
H01S 5/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
14External cavity lasers
146using a fiber as external cavity
H01S 5/18311
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers
183having a vertical cavity [VCSE-lasers]
18308having a special structure for lateral current or light confinement
18311using selective oxidation
Déposants
  • FINISAR CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • GAZULA, Deepa
  • CHITICA, Nicolae
  • CHACINSKI, Marek
  • LANDRY, Gary
  • TATUM, Jim
Mandataires
  • MASCHOFF, Eric, L.
  • BARBER, Daniel, R.
  • BRAITHWAITE, Jared, J.
  • BENNS, Jonathan, M.
  • ATZET, Ian, A.
Données relatives à la priorité
15/707,54018.09.2017US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) VCSEL WITH ELLIPTICAL APERTURE HAVING REDUCED RIN
(FR) VCSEL AVEC OUVERTURE ELLIPTIQUE AYANT UN RIN RÉDUIT
Abrégé
(EN)
A VCSEL can include: an elliptical oxide aperture in an oxidized region that is located between an active region and an emission surface, the elliptical aperture having a short radius and a long radius with a radius ratio (short radius)/(long radius) being between 0.6 and 0.8, the VCSEL having a relative intensity noise (RIN) of less than -140 dB/Hz. The VCSEL can include an elliptical emission aperture having the same dimensions of the elliptical oxide aperture. The VCSEL can include an elliptical contact having an elliptical contact aperture therein, the elliptical contact being around the elliptical emission aperture. The elliptical contact can be C-shaped. The VCSEL can include one or more trenches lateral of the oxidized region, the one or more trenches forming an elliptical shape, wherein the oxidized region has an elliptical shape. The one or more trenches can be trapezoidal shaped trenches.
(FR)
L'invention concerne un VCSEL qui peut comprendre : une ouverture d'oxyde elliptique dans une région oxydée qui est située entre une région active et une surface d'émission, l'ouverture elliptique ayant un rayon court et un rayon long avec un rapport de rayons (rayon court)/ (rayon long) compris entre 0,6 et 0,8, le VCSEL ayant un bruit d'intensité relative (RIN) inférieur à -140 dB/Hz. Le VCSEL peut comprendre une ouverture d'émission elliptique ayant les mêmes dimensions que l'ouverture d'oxyde elliptique. Le VCSEL peut comprendre un contact elliptique ayant une ouverture de contact elliptique à l'intérieur, le contact elliptique se trouvant autour de l'ouverture d'émission elliptique. Le contact elliptique peut être en forme de C. Le VCSEL peut comprendre une ou plusieurs tranchées latérales de la région oxydée, la ou les tranchées formant une forme elliptique, la région oxydée ayant une forme elliptique. La ou les tranchées peuvent être des tranchées de forme trapézoïdale.
Également publié en tant que
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