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1. (WO2019050735) PROCÉDÉS DE PRODUCTION DE TROUS D'INTERCONNEXION AUTO-ALIGNÉS
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N° de publication : WO/2019/050735 N° de la demande internationale : PCT/US2018/048503
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 29.08.2018
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
Déposants :
MICROMATERIALS LLC [US/US]; 2711 Centerville Road, Suite 400 Wilmington, Delaware 19808, US
Inventeurs :
ZHANG, Ying; US
FREED, Regina; US
INGLE, Nitin, K.; US
HWANG, Ho-yung; US
MITRA, Uday; US
Mandataire :
BLANKMAN, Jeffrey, I.; US
Données relatives à la priorité :
62/555,04106.09.2017US
Titre (EN) METHODS OF PRODUCING SELF-ALIGNED VIAS
(FR) PROCÉDÉS DE PRODUCTION DE TROUS D'INTERCONNEXION AUTO-ALIGNÉS
Abrégé :
(EN) Methods and apparatus to form fully self-aligned vias are described. A seed gapfill layer is formed on a recessed first insulating layers positioned between first conductive lines. Pillars are formed from the seed gapfill layer and a second insulating layer is deposited in the gaps between pillars. The pillars are removed and a third insulating layer is deposited in the gaps in the second insulating layer to form an overburden of third insulating layer. A portion of the overburden of the third insulating layer is removed to expose the first conductive lines and form vias.
(FR) L'invention concerne des procédés et un appareil pour former des trous d'interconnexion entièrement auto-alignés. Une couche de remplissage de vides en germe est formée sur une première couche isolante évidée positionnée entre des premières lignes conductrices. Des piliers sont formés à partir de la couche de remplissage de vides en germe et une seconde couche isolante est déposée dans les espaces entre les piliers. Les piliers sont retirés et une troisième couche isolante est déposée dans les espaces dans la seconde couche isolante pour former une surcharge de troisième couche isolante. Une partie de la surcharge de la troisième couche isolante est retirée pour exposer les premières lignes conductrices et former des trous d'interconnexion.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)