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1. (WO2019050670) DISPOSITIFS DE COMMUTATION DE COURANT À CAPACITÉ DV/DT ÉLEVÉE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/050670 N° de la demande internationale : PCT/US2018/047269
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 21.08.2018
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/739 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70
Dispositifs bipolaires
72
Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
739
commandés par effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
423
ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
Déposants :
CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina 27703, US
Inventeurs :
ZHANG, Qingchun; US
BARKLEY, Adam; US
RYU, Sei-Hyung; US
HULL, Brett; US
Mandataire :
AYERS, Randal; US
Données relatives à la priorité :
15/699,14908.09.2017US
Titre (EN) POWER SWITCHING DEVICES WITH HIGH DV/DT CAPABILITY AND METHODS OF MAKING SUCH DEVICES
(FR) DISPOSITIFS DE COMMUTATION DE COURANT À CAPACITÉ DV/DT ÉLEVÉE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) Power switching devices include a semiconductor layer structure that has an active region and an inactive region. The active region includes a plurality of unit cells and the inactive region includes a field insulating layer on the semiconductor layer structure and a gate pad on the field insulating layer opposite the semiconductor layer structure. A gate insulating pattern is provided on the semiconductor layer structure between the active region and the field insulating layer, and at least one source/drain contact is provided through the gate pad and the field insulating layer reaching the body well extension of the semiconductor layer structure.
(FR) L'invention concerne des dispositifs de commutation de courant qui comprennent une structure stratifiée semi-conductrice qui comporte une région active et une région inactive. La région active comprend une pluralité de cellules unitaires et la région inactive comprend une couche d'isolation de champ sur la structure de couche semi-conductrice et un plot de grille sur la couche d'isolation de champ opposée à la structure de couche semi-conductrice. Un motif d'isolation de grille est disposé sur la structure de couche semi-conductrice entre la région active et la couche d'isolation de champ, et au moins un contact source/drain est disposé à travers le plot de grille et la couche d'isolation de champ atteignant l'extension de puits de corps de la structure de couche semi-conductrice.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)