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1. (WO2019050579) DISPOSITIF DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE CONTENANT DES LIGNES DE MOTS DE REMPLACEMENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/050579 N° de la demande internationale : PCT/US2018/034697
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 25.05.2018
CIB :
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 27/24 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
24
comprenant des composants à l'état solide pour le redressement, l'amplification ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface
Déposants :
SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 5080 Spectrum Drive Suite 1050W Addison, Texas 75001, US
Inventeurs :
KIKUCHI, Shin; US
TAKAKI, Seje; US
Mandataire :
RADOMSKY, Leon; US
COHN, Joanna; US
CONNOR, David; US
GAYOSO, Tony; US
GEMMELL, Elizabeth; US
GILL, Matthew; US
GREGORY, Shaun; US
GUNNELS, Zarema; US
HANSEN, Robert; US
HUANG, Stephen; US
HYAMS, David; US
JOHNSON, Timothy; US
MAZAHERY, Benjamin; US
MURPHY, Timothy; US
NGUYEN, Jacqueline; US
O'BRIEN, Michelle; US
PARK, Byeongju; US
RUTT, Steven; US
SIMON, Phyllis; US
SMITH, Jackson R.; US
SULSKY, Martin; US
Données relatives à la priorité :
15/695,22505.09.2017US
Titre (EN) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE CONTAINING REPLACEMENT WORD LINES AND METHOD OF MAKING THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE CONTENANT DES LIGNES DE MOTS DE REMPLACEMENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A method of forming a resistive memory device includes forming an alternating stack of insulating layers and sacrificial material layers that extend along a first horizontal direction over a substrate, forming a laterally alternating sequence of vertical conductive lines and dielectric pillar structures that alternate along the first horizontal direction on sidewalls of the alternating stack, forming lateral recesses by removing the sacrificial material layers selective to the insulating layers, selectively growing resistive memory material portions from physically exposed surfaces of the vertical conductive lines in the lateral recesses, and forming electrically conductive layers over the resistive memory material portions in the lateral recesses.
(FR) Cette invention concerne un procédé de formation d'un dispositif de mémoire résistive, consistant à former un empilement alterné de couches isolantes et de couches de matériau sacrificiel qui s'étendent le long d'une première direction horizontale sur un substrat, former une séquence alternée latéralement de lignes conductrices verticales et de structures de piliers diélectriques qui alternent le long de la première direction horizontale sur les parois latérales de l'empilement alterné, former des évidements latéraux par élimination des couches de matériau sacrificiel sélectivement par rapport aux couches isolantes, développer sélectivement des parties de matériau de mémoire résistive à partir de surfaces physiquement exposées des lignes conductrices verticales dans les évidements latéraux, et former des couches électriquement conductrices sur les parties de matériau de mémoire résistive dans les évidements latéraux.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)