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1. (WO2019050483) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION
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N° de publication : WO/2019/050483 N° de la demande internationale : PCT/SG2018/050462
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 11.09.2018
CIB :
C23C 14/22 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
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REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
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Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
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caractérisé par le procédé de revêtement
Déposants :
AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH [SG/SG]; 1 Fusionopolis Way #20-10, Connexis North Tower, Singapore 138632, SG
Inventeurs :
CHAI, Jianwei; SG
WANG, Shijie; SG
CHI, Dongzhi; SG
YANG, Ming; SG
Mandataire :
SPRUSON & FERGUSON (ASIA) PTE LTD; P.O. Box 1531, Robinson Road Post Office Singapore 903031, SG
Données relatives à la priorité :
10201707414P11.09.2017SG
Titre (EN) A SPUTTERING SYSTEM AND METHOD
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION
Abrégé :
(EN) A sputtering system and a sputtering method are provided. The sputtering system includes a first electrode, a magnet and a second electrode. The first electrode is an elongated tube having a first end and a second end downstream of the first end. The first end is configured to receive a gas flow and the second end is placed next to a substrate. The magnet surrounds at least a portion of the elongated tube and is configured to generate a magnetic field in a space within the elongated tube. The second electrode is disposed within the elongated tube. A voltage is configured to be applied between the first and second electrodes to generate an electric field between the first and second electrodes.
(FR) L'invention porte sur un système et un procédé de pulvérisation. Le système de pulvérisation comprend une première électrode, un aimant et une seconde électrode. La première électrode est un tube allongé ayant une première extrémité et une seconde extrémité en aval de la première extrémité. La première extrémité est conçue pour recevoir un flux de gaz et la seconde extrémité est placée à côté d'un substrat. L'aimant entoure au moins une partie du tube allongé et est conçu pour produire un champ magnétique dans un espace à l'intérieur du tube allongé. La seconde électrode est disposée à l'intérieur du tube allongé. Une tension est conçue pour être appliquée entre les première et seconde électrodes pour produire un champ électrique entre les première et seconde électrodes.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)