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1. (WO2019050266) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/050266 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/010352
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 05.09.2018
CIB :
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28
comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32
avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
고려대학교 세종산학협력단 KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION, SEJONG CAMPUS [KR/KR]; 세종시 조치원읍 세종로 2511 2511, Sejong-si Jochiwon-eup Sejong 30019, KR
Inventeurs :
김보성 KIM, Bo Sung; KR
홍문표 HONG, Mun Pyo; KR
김상일 KIM, Sang Il; KR
정현재 JUNG, Hyen Jae; KR
Mandataire :
박상열 PARK, Sang Youl; KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-011345505.09.2017KR
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
Abrégé :
(EN) A thin film transistor and a manufacturing method therefor are provided. The manufacturing method for a thin film transistor comprises the steps of: preparing a substrate; forming a first semiconductor layer on the substrate; forming a second semiconductor layer thinner than the first semiconductor layer on the first semiconductor layer; patterning the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; forming a gate insulating film on the second semiconductor layer; and forming a gate electrode on the gate insulating film, wherein the first semiconductor layer is formed by DC sputtering under an oxygen atmosphere, and the second semiconductor layer is formed at a lower rate than the first semiconductor layer under an oxygen-deficient condition.
(FR) L'invention concerne un transistor à couches minces et son procédé de fabrication. Le procédé de fabrication du transistor à couches minces comprend les étapes suivantes : préparation d'un substrat; formation d'une première couche semi-conductrice sur le substrat; formation d'une seconde couche semi-conductrice plus mince que la première couche semi-conductrice sur la première couche semi-conductrice; formation de motifs sur la première couche semi-conductrice et la seconde couche semi-conductrice; formation d'un film d'isolation de grille sur la seconde couche semi-conductrice; et formation d'une électrode de grille sur le film d'isolation de grille, la première couche semi-conductrice étant formée par pulvérisation cathodique en courant continu sous atmosphère d'oxygène, et la seconde couche semi-conductrice étant formée à une plus faible vitesse que la première couche semi-conductrice dans des conditions d'insuffisance d'oxygène.
(KO) 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법이 제공된다. 박막 트랜지스터의 제조 방법은 기판이 준비되는 단계, 상기 기판 상에 제1 반도체 층을 형성하는 단계, 상기 제1 반도체 층 상에, 상기 제1 반도체 층 보다 두께가 얇은 제2 반도체 층을 형성하는 단계, 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층을 패터닝하는 단계, 상기 제2 반도체 층 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계 및 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 반도체 층은 산소 분위기에서DC 스퍼터링(sputtering)으로 형성되고, 상기 제2 반도체 층은 산소 결핍 조건에서 상기 제1 반도체 층보다 느린 속도로 형성된다.
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)