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1. (WO2019050263) CANAL DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE DE RÉGULATION DE TRANSPORT DE CHALEUR, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE DE RÉGULATION DE TRANSPORT DE CHALEUR POURVU DUDIT CANAL
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N° de publication : WO/2019/050263 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/010344
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 05.09.2018
CIB :
H01L 29/10 (2006.01) ,H01L 29/94 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01) ,H01L 29/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
10
avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
92
Condensateurs avec barrière de potentiel ou barrière de surface
94
Dispositifs à métal-isolant-semi-conducteur, p.ex. MOS
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324
Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
08
avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
Déposants :
경북대학교 산학협력단 KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION [KR/KR]; 대구시 북구 대학로 80 (산격동) 80(Sangyeok-dong), Daehak-ro Buk-gu Daegu 41566, KR
Inventeurs :
이상욱 LEE, Sangwook; KR
이근형 LEE, Keun Hyung; KR
윤영훈 YUN, Yeonghun; KR
조경국 CHO, Kyung Gook; KR
Mandataire :
남건필 NAM, Gun Pil; KR
차상윤 CHA, Sang Yun; KR
박종수 PARK, Jong Soo; KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-011430207.09.2017KR
Titre (EN) CHANNEL OF ELECTRONIC DEVICE FOR CONTROLLING HEAT TRANSPORT, AND ELECTRONIC DEVICE FOR CONTROLLING HEAT TRANSPORT, COMPRISING SAME
(FR) CANAL DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE DE RÉGULATION DE TRANSPORT DE CHALEUR, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE DE RÉGULATION DE TRANSPORT DE CHALEUR POURVU DUDIT CANAL
(KO) 열 이동을 제어하는 전자 소자의 채널 및 이를 포함하는 열 이동을 제어하는 전자 소자
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a channel of an electronic device for controlling heat transport, and the electronic device for controlling heat transport, comprising the same. The channel of the electronic device for controlling heat transport is formed from a metal-insulator transition compound doped with a dopant such that a phase transition thereof occurs, by means of an electric field or heat, from a first phase having insulation to a second phase having conductivity, and the thermal conductivity discontinuously increases when a transition occurs from the first phase to the second phase.
(FR) La présente invention porte sur un canal d'un dispositif électronique de régulation de transport de chaleur, et sur le dispositif électronique de régulation de transport de chaleur pourvu dudit canal. Le canal du dispositif électronique de régulation de transport de chaleur est formé d'un composé de transition métal-isolant dopé avec un dopant de telle sorte qu'une transition de phase correspondante se produit, à l'aide d'un champ électrique ou de la chaleur, d'une première phase présentant une isolation à une seconde phase présentant une conductivité, et la conductivité thermique augmente de manière discontinue lorsqu'une telle transition de phase se produit.
(KO) 본 발명은 열 이동을 제어하는 전자 소자의 채널 및 이를 포함하는 열 이동을 제어하는 전자 소자에 관한 것으로, 열 이동을 제어하는 전자 소자의 채널은 도펀트로 도핑된 금속-절연체 전이(metal-insulator transition) 화합물로 형성되어, 절연성을 갖는 제1 상에서 전계나 열에 의해 도전성을 갖는 제2 상으로 상전이 되고, 상기 제1 상에서 상기 제2 상으로 전이될 때 열전도도가 불연속적으로 증가한다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)