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1. (WO2019050233) CAPTEUR D'ONDES ÉLECTROMAGNÉTIQUES À OXYDE DE VANADIUM RICHE EN OXYGÈNE ET SYSTÈME L'UTILISANT
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N° de publication : WO/2019/050233 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/010216
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 03.09.2018
CIB :
H01L 31/08 (2006.01) ,G01J 1/02 (2006.01) ,H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/032 (2006.01) ,H01L 31/048 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
J
MESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
1
Photométrie, p.ex. posemètres photographiques
02
Parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0224
Electrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256
caractérisés par les matériaux
0264
Matériaux inorganiques
032
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes H01L31/0272-H01L31/0312169
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
042
comprenant un panneau ou une matrice de cellules photovoltaïques, p.ex. des cellules solaires
048
encapsulés ou ayant un boîtier
Déposants :
한국전자통신연구원 ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE [KR/KR]; 대전시 유성구 가정로 218 218, Gajeong-ro Yuseong-gu Daejeon 34129, KR
Inventeurs :
김현탁 KIM, Hyun-Tak; KR
조진철 CHO, Jin Cheol; KR
슬라테티아나 SLUSAR, Tetiana; KR
Mandataire :
특허법인 고려 KORYO IP & LAW; 서울시 강남구 테헤란로 8길 41 6층 6F, 41, Teheran-ro 8-gil Gangnam-gu Seoul 06239, KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-011357405.09.2017KR
10-2018-009633717.08.2018KR
Titre (EN) OXYGEN-RICH VANADIUM OXIDE ELECTROMAGNETIC WAVE SENSOR AND SYSTEM USING SAME
(FR) CAPTEUR D'ONDES ÉLECTROMAGNÉTIQUES À OXYDE DE VANADIUM RICHE EN OXYGÈNE ET SYSTÈME L'UTILISANT
(KO) 산소 리치 바나듐산화물 전자파 센서 및 그 시스템
Abrégé :
(EN) Provided are an oxygen-rich vanadium oxide electromagnetic wave sensor and a system using the same. An oxygen-rich vanadium oxide electromagnetic wave sensor according to an embodiment of the present invention comprises: a first material layer comprising silicon doped with an n-type dopant; a second material layer disposed on the first material layer and comprising a vanadium oxide represented by the molecular formula VxOy; a first electrode on the second material layer; and a second electrode on the first material layer or the second material layer, wherein the dopant concentration of the first material layer may be more than 1.0 x 1015 cm-3 but less than 1.0 x 1019 cm-3, and the ratio of y to x may be greater than 2 but smaller than 2.5 in the molecular formula.
(FR) La présente invention concerne un capteur d'ondes électromagnétiques à oxyde de vanadium riche en oxygène et un système l'utilisant. Un capteur d'ondes électromagnétiques à oxyde de vanadium riche en oxygène selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : une première couche de matériau comprenant du silicium dopé avec un dopant de type N ; une deuxième couche de matériau disposée sur la première couche de matériau et comprenant un oxyde de vanadium représenté par la formule moléculaire VxOy ; une première électrode sur la deuxième couche de matériau ; et une deuxième électrode sur la première couche de matériau ou sur la deuxième couche de matériau. La concentration de dopant de la première couche de matériau peut être supérieure à 1,0 x 1015 cm-3 mais inférieure à 1,0 x 1019 cm-3, et le rapport de y par x peut être supérieur à 2 mais inférieur à 2,5 dans la formule moléculaire.
(KO) 산소 리치 바나듐산화물 전자파 센서 및 그 시스템이 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 산소 리치 바나듐산화물 전자파 센서는 n형의 도펀트로 도핑된 실리콘을 포함하는 제1 물질 층; 상기 제1 물질 층 상에 배치되고, 분자식 VxOy로 표시되는 바나듐 산화물을 포함하는 제2 물질 층; 상기 제2 물질 층 상의 제1 전극; 및 상기 제1 물질 층 또는 상기 제2 물질 층 상의 제2 전극을 포함하되, 상기 제1 물질 층의 도펀트 농도는 1.0 x 1015 cm-3 보다 크고 1.0 x 1019 cm-3 보다 작고, 상기 분자식에서 x에 대한 y의 비는 2 보다 크고 2.5보다 작을 수 있다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)