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1. (WO2019050198) MASQUE DE DÉPÔT DE MATÉRIAU MÉTALLIQUE POUR DÉPÔT DE PIXELS DE DELO, ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
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N° de publication : WO/2019/050198 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/009806
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 24.08.2018
CIB :
H01L 51/56 (2006.01) ,H01L 51/00 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,C23C 14/22 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
56
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28
comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32
avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
엘지이노텍 주식회사 LG INNOTEK CO., LTD. [KR/KR]; 서울시 중구 후암로 98 98, Huam-ro Jung-gu Seoul 04637, KR
Inventeurs :
백지흠 PAIK, Jee Heum; KR
김해식 KIM, Hae Sik; KR
조영득 JO, Yeong Deuk; KR
이상유 LEE, Sang Yu; KR
조수현 CHO, Su Hyeon; KR
손효원 SON, Hyo Won; KR
Mandataire :
허용록 HAW, Yong Noke; KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-011482007.09.2017KR
10-2017-015567021.11.2017KR
10-2017-015764423.11.2017KR
Titre (EN) METALLIC MATERIAL DEPOSITION MASK FOR OLED PIXEL DEPOSITION, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) MASQUE DE DÉPÔT DE MATÉRIAU MÉTALLIQUE POUR DÉPÔT DE PIXELS DE DELO, ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(KO) OLED 화소 증착을 위한 금속 재질의 증착용 마스크 및 이의 제조방법
Abrégé :
(EN) A metallic material deposition mask for OLED pixel deposition according to an embodiment of the present invention includes a deposition region for forming a deposition pattern and a non-deposition region other than the deposition region. The deposition region includes a plurality of effective portions spaced apart in the longitudinal direction and non-effective portions other than the effective portions. The effective portions include: a plurality of small-area holes formed on one surface; a plurality of large-area holes formed on the reverse surface on the opposite side to the one surface; through holes through which the small-area holes and large-area holes communicate; and island parts between the plurality of through holes, wherein the through holes have a dimeter of no greater than 33 µm, the distance between the centers of two neighboring through holes among the through holes is no greater than 48 µm, which corresponds to a resolution of 500 PPI, the inclination angle of the large-area holes with respect to the reverse surface is 40 degrees to 55 degrees, the average center-line average surface roughness of the non-deposition region in the longitudinal direction and average center-line average surface roughness of the non-depostion region in the widthwise direction are 0.1 µm to 0.3 µm, the average ten-point average surface roughness (Rz) of the non-deposition region in the longitudinal direction and average ten-point average surface roughness of the non-deposition region in the widthwise direction are 0.5 µm to 2.0 µm, the deviation of the average center-line average surface roughness value in the longitudinal direction with respect to the average center-line average surface roughness in the widthwise direction is less than 50%, and the deviation of the average ten-point average surface roughness value in the longitudinal direction with respect to the average ten-point average surface roughness in the widthwise direction is less than 50%.
(FR) Un masque de dépôt de matériau métallique pour le dépôt de pixels de DELO selon un mode de réalisation de la présente invention comprend une région de dépôt servant à former un motif de dépôt et une région sans dépôt autre que la région de dépôt. La région de dépôt comprend une pluralité de parties efficaces espacées dans le sens de la longueur et des parties non efficaces autres que les parties efficaces. Les parties efficaces comprennent : une pluralité de trous de petite surface formés sur une surface ; une pluralité de trous de grande surface formés sur la surface arrière sur le côté opposé à la première surface ; des trous traversants à travers lesquels communiquent les trous de petite surface et les trous de grande surface ; et des parties îlots entre la pluralité de trous traversants, les trous traversants ayant un diamètre inférieur ou égal à 33 µm, la distance entre les centres de deux trous traversants voisins parmi les trous traversants étant inférieure ou égale à 48 µm, qui correspond à une résolution de 500 PPI, l'angle d'inclinaison des trous de grande surface par rapport à la surface arrière étant de 40 degrés à 55 degrés, la rugosité de surface moyenne de ligne centrale moyenne de la région sans dépôt dans le sens de la longueur et la rugosité de surface moyenne de ligne centrale moyenne de la région sans dépôt dans le sens de la largeur étant de 0,1 µm à 0,3 µm, la rugosité de surface moyenne moyennée sur dix points (Rz) de la région sans dépôt dans le sens de la longueur et la rugosité de surface moyenne moyennée sur dix points de la région sans dépôt dans le sens de la largeur étant de 0,5 µm à 2,0 µm, l'écart de la valeur de rugosité de surface moyenne de ligne centrale moyenne dans le sens de la longueur par rapport à la rugosité de surface moyenne de ligne centrale moyenne dans le sens de la largeur étant inférieur à 50 %, et l'écart de la valeur de rugosité de surface moyenne moyennée sur dix points dans le sens de la longueur par rapport à la rugosité de surface moyenne moyennée sur dix points dans le sens de la largeur étant inférieur à 50 %.
(KO) 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크에 있어서, 상기 증착용 마스크는 증착 패턴을 형성하기 위한 증착 영역 및 상기 증착 영역 이외의 비증착 영역을 포함하고, 상기 증착 영역은 길이 방향으로 이격된 복수 개의 유효부 및 상기 유효부 이외의 비유효부를 포함하고, 상기 유효부는, 일면 상에 형성된 다수의 소면공; 상기 일면과 반대되는 타면상에 형성된 다수의 대면공; 상기 소면공과 상기 대면공을 연통하는 관통홀; 및 상기 다수의 관통홀 사이의 아일랜드부;를 포함하고, 상기 관통홀의 직경은 33um 이하이고, 상기 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀의 각 중심 간의 간격이 48um 이하인 500PPI 이상의 해상도를 가지며, 상기 타면에 대한 대면공의 경사각은 40도 내지 55도이고, 상기 비증착 영역의 길이 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기 및 폭 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기는 0.1um 내지 0.3um이고, 상기 비증착 영역의 길이 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기(Rz) 및 폭 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기는 0.5um 내지 2.0um 이고, 상기 폭 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기에 대한 상기 길이 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기 값의 편차는 50% 미만이고, 상기 폭 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기에 대한 상기 길이 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기 값의 편차는 50% 미만이다.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)