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1. (WO2019049980) CIRCUIT DE RECONFIGURATION
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N° de publication : WO/2019/049980 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/033178
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 07.09.2018
CIB :
H03K 19/177 (2006.01) ,G06F 11/16 (2006.01) ,G11C 29/00 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
19
Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
02
utilisant des éléments spécifiés
173
utilisant des circuits logiques élémentaires comme composants
177
disposés sous forme matricielle
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
11
Détection d'erreurs; Correction d'erreurs; Contrôle de fonctionnement
07
Réaction à l'apparition d'un défaut, p.ex. tolérance de certains défauts
16
Détection ou correction d'erreur dans une donnée par redondance dans le matériel
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
29
Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49
Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝五丁目7番1号 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP
Inventeurs :
辻 幸秀 TSUJI Yukihide; JP
阪本 利司 SAKAMOTO Toshitsugu; JP
宮村 信 MIYAMURA Makoto; JP
根橋 竜介 NEBASHI Ryusuke; JP
多田 あゆ香 TADA Ayuka; JP
白 旭 BAI Xu; JP
Mandataire :
下坂 直樹 SHIMOSAKA Naoki; JP
Données relatives à la priorité :
2017-17418211.09.2017JP
Titre (EN) RECONFIGURATION CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE RECONFIGURATION
(JA) 再構成回路
Abrégé :
(EN) In order to achieve both high-density implementation of applications in the form a reconfiguration circuit without a redundancy bit and the capability to continuously run applications with redundancy, the present invention is a reconfiguration circuit provided with: a first lookup table composed of a crossbar memory formed in a crossbar switching circuit having a plurality of switch cells including a complementary element and a multiplexer for selecting and outputting at least one of a plurality of signals input from the crossbar memory; a second lookup table composed of a crossbar memory and a multiplexer; and a switch that is connected to an output node of the first lookup table and to an output node of the second lookup table and that switches the output node of the first lookup table and the output node of the second lookup table to an electrically conductive state or a non-conductive state.
(FR) La présente invention a pour objet d'atteindre une mise en œuvre à haute densité d'applications sous la forme d'un circuit de reconfiguration sans bit de redondance ainsi que la capacité d'exécuter en continu des applications avec redondance. Plus particulièrement, l'invention concerne un circuit de reconfiguration comprenant : une première table de consultation composée d'une mémoire à barres croisées formée dans un circuit de commutation à barres croisées ayant une pluralité de cellules de commutation comprenant un élément complémentaire et un multiplexeur pour sélectionner et délivrer en sortie au moins l'un d'une pluralité de signaux entrés à partir de la mémoire à barres croisées ; une seconde table de consultation composée d'une mémoire à barres croisées et d'un multiplexeur ; et un commutateur qui est connecté à un nœud de sortie de la première table de consultation et à un nœud de sortie de la seconde table de consultation et qui commute le nœud de sortie de la première table de consultation et le nœud de sortie de la seconde table de consultation vers un état conducteur ou un état non conducteur.
(JA) 冗長ビットを持たない再構成回路としてアプリケーションを高密度に実装することと、冗長性を持たせて継続的なアプリケーション動作を可能とすることを両立するために、相補型素子を含む複数のスイッチセルを有するクロスバースイッチ回路に構成されるクロスバーメモリと、クロスバーメモリから入力される複数の信号のうち少なくとも一つを選択して出力するマルチプレクサとによって構成される第1のルックアップテーブルと、クロスバーメモリとマルチプレクサとによって構成される第2のルックアップテーブルと、第1のルックアップテーブルの出力ノードと、第2のルックアップテーブルの出力ノードとに接続され、第1のルックアップテーブルの出力ノードと第2のルックアップテーブルの出力ノードとを電気的に導通もしくは非導通の状態に切り替えるスイッチとを備える再構成回路とする。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)