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1. (WO2019049900) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE DÉTECTION DE FAISCEAU D'ÉNERGIE DE SEMI-CONDUCTEUR, ET TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE
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N° de publication : WO/2019/049900 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/032912
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 05.09.2018
CIB :
H01L 31/10 (2006.01) ,H01L 31/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
H ÉLECTRICITÉ
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ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
Déposants :
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
Inventeurs :
小杉 和正 KOSUGI Kazumasa; JP
鎌田 真太郎 KAMADA Shintaro; JP
山村 和久 YAMAMURA Kazuhisa; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-17304908.09.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR WAFER MANUFACTURING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ENERGY BEAM DETECTING ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE DÉTECTION DE FAISCEAU D'ÉNERGIE DE SEMI-CONDUCTEUR, ET TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 半導体ウエハの製造方法、半導体エネルギー線検出素子の製造方法、及び半導体ウエハ
Abrégé :
(EN) A through-slit is provided in a semiconductor wafer. A first virtual cutting line defines, as viewed from a direction orthogonal to a first major surface, a chip portion including an energy beam sensitive region. A second virtual cutting line has a smaller minimum distance to the edge of a second semiconductor region compared to the first virtual cutting line. The through-slit penetrates through the semiconductor wafer along the second virtual cutting line in a thickness direction. Providing the through-slit results in the formation of a side surface in the chip portion exposing a first semiconductor region 3. Impurities are added to the side surface exposing the first semiconductor region 3, whereby a fourth semiconductor region of a first conductivity type is provided on the side surface side of the chip portion.
(FR) L'invention concerne une fente traversante disposée dans une tranche semi-conductrice. Une première ligne de découpe virtuelle définit, vue depuis une direction orthogonale à une première surface principale, une partie de puce comprenant une région sensible à un faisceau d'énergie. Une seconde ligne de découpe virtuelle a une distance minimale inférieure au bord d'une seconde région semi-conductrice par rapport à la première ligne de découpe virtuelle. La fente traversante pénètre à travers la tranche semi-conductrice le long de la seconde ligne de découpe virtuelle dans une direction d'épaisseur. La fourniture de la fente traversante permet la formation d'une surface latérale dans la partie de puce exposant une première région semi-conductrice 3. Des impuretés sont ajoutées à la surface latérale exposant la première région semi-conductrice 3, une quatrième région semi-conductrice d'un premier type de conductivité étant disposée sur le côté de surface latérale de la partie de puce.
(JA) 貫通スリットが、半導体ウエハに設けられる。第1仮想切断線は、第1主面に直交する方向から見て、エネルギー線感応領域を含むチップ部を画成している。第2仮想切断線は、第1仮想切断線と該第1仮想切断線よりも第2半導体領域の縁までの最短距離が小さい。貫通スリットは、第2仮想切断線に沿って半導体ウエハを厚さ方向に貫通する。貫通スリットを設けることで、第1半導体領域3が露出する側面がチップ部に形成される。第1半導体領域3が露出する側面への不純物の添加により、第1導電型の第4半導体領域が、チップ部の当該側面側に設けられる。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)