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1. (WO2019049780) STRUCTURE DE LIAISON DE MODULE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE LIAISON
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N° de publication : WO/2019/049780 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/032339
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 31.08.2018
CIB :
H02M 7/48 (2007.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01R 4/02 (2006.01) ,H01R 43/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
7
Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
42
Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité
44
par convertisseurs statiques
48
utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
R
CONNEXIONS CONDUCTRICES DE L'ÉLECTRICITÉ; ASSOCIATION STRUCTURELLE DE PLUSIEURS ÉLÉMENTS DE CONNEXION ÉLECTRIQUE ISOLÉS LES UNS DES AUTRES; DISPOSITIFS DE COUPLAGE; COLLECTEURS DE COURANT
4
Connexions conductrices de l'électricité entre plusieurs organes conducteurs en contact direct, c. à d. se touchant l'un l'autre; Moyens pour réaliser ou maintenir de tels contacts; Connexions conductrices de l'électricité ayant plusieurs emplacements espacés de connexion pour les conducteurs et utilisant des organes de contact pénétrant dans l'isolation
02
Connexions soudées ou brasées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
R
CONNEXIONS CONDUCTRICES DE L'ÉLECTRICITÉ; ASSOCIATION STRUCTURELLE DE PLUSIEURS ÉLÉMENTS DE CONNEXION ÉLECTRIQUE ISOLÉS LES UNS DES AUTRES; DISPOSITIFS DE COUPLAGE; COLLECTEURS DE COURANT
43
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication, l'assemblage, l'entretien ou la réparation de connecteurs de lignes ou de collecteurs de courant ou pour relier les conducteurs électriques
02
pour connexions soudées
Déposants :
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
Inventeurs :
原田 脩央 HARADA Naohisa; JP
近藤 浩 KONDO Hiroshi; JP
石川 喬介 ISHIKAWA Kyosuke; JP
川出 篤 KAWADE Atsushi; JP
Mandataire :
特許業務法人あいち国際特許事務所 AICHI, TAKAHASHI, IWAKURA & ASSOCIATES; 愛知県名古屋市中村区名駅3丁目26番19号 名駅永田ビル Meieki Nagata Building, 26-19, Meieki 3-chome, Nakamura-ku, Nagoya-shi, Aichi 4500002, JP
Données relatives à la priorité :
2017-17040405.09.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MODULE BONDING STRUCTURE AND BONDING METHOD
(FR) STRUCTURE DE LIAISON DE MODULE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE LIAISON
(JA) 半導体モジュールの接合構造及び接合方法
Abrégé :
(EN) A semiconductor module bonding structure (4a) comprises: a semiconductor module (11) including a semiconductor element (12) and a positive electrode terminal (12p) serving as a plate-like power terminal electrically connected to the semiconductor element (12); and a main P-bus bar (6) serving as a bus bar including a plate-like bonding portion (7) bonded to the positive electrode terminal (12p) of the semiconductor module (11). The positive electrode terminal (12p) of the semiconductor module (11) and the bonding portion (7) of the main P-bus bar (6) are configured such that the positive electrode terminal (12p), which has a relatively smaller plate thickness, has a plate width greater than a plate width of the bonding portion (7), which has a relatively greater plate thickness. The positive electrode terminal (12p) and the bonding portion (7) are bonded to each other by performing fusion-welding in an arrangement in which the respective plate thickness directions are orthogonal to each other.
(FR) L'invention concerne une structure de liaison de module à semi-conducteur (4a) comprenant : un module à semi-conducteur (11) comprenant un élément semi-conducteur (12) et une borne d'électrode positive (12p) servant de borne électrique tabulaire connectée électriquement à l'élément semi-conducteur (12) ; et une barre omnibus P principale (6) servant de barre omnibus comprenant une partie de liaison tabulaire (7) liée à la borne d'électrode positive (12p) du module à semi-conducteur (11). La borne d'électrode positive (12p) du module à semi-conducteur (11) et la partie de liaison (7) de la barre omnibus P principale (6) sont conçues de telle sorte que la borne d'électrode positive (12p), dont l'épaisseur de plaque est relativement plus petite, présente une largeur de plaque supérieure à une largeur de plaque de la partie de liaison (7), dont l'épaisseur de plaque est relativement plus grande. La borne d'électrode positive (12p) et la partie de liaison (7) sont liées l'une à l'autre par réalisation d'un soudage par fusion dans un agencement dans lequel les directions d'épaisseur de plaque respectives sont orthogonales l'une à l'autre.
(JA) 半導体モジュールの接合構造(4a)は、半導体素子(12)と、半導体素子(12)に電気的に接続された板状のパワー端子としての正極端子(12p)と、を有する半導体モジュール(11)と、半導体モジュール(11)の正極端子(12p)に接合された板状の接合部(7)を有するバスバーとしての主Pバスバー(6)と、を備え、半導体モジュール(11)の正極端子(12p)と主Pバスバー(6)の接合部(7)は、相対的に板厚の小さい方である正極端子(12p)の板幅が相対的に板厚の大きい方である接合部(7)の板幅を上回るように構成され、且つそれぞれの板厚方向が互いに直交するように配置された状態で溶融溶接によって接合されている。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)