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1. (WO2019049740) STRUCTURE DE PRÉCURSEUR DE FILM DE MAGNÉTISATION PERPENDICULAIRE, STRUCTURE DE FILM DE MAGNÉTISATION PERPENDICULAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, FILM DE JONCTION DE MAGNÉTORÉSISTANCE TUNNEL DE TYPE À MAGNÉTISATION PERPENDICULAIRE UTILISANT CELLES-CI ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, ET ÉLÉMENT DE JONCTION DE MAGNÉTORÉSISTANCE TUNNEL DE TYPE À MAGNÉTISATION PERPENDICULAIRE UTILISANT CEUX-CI
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N° de publication : WO/2019/049740 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/031877
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 29.08.2018
CIB :
H01L 43/10 (2006.01) ,G01R 33/09 (2006.01) ,H01F 10/14 (2006.01) ,H01F 10/30 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33
Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02
Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
06
en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
09
des dispositifs magnéto-résistifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
F
AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10
Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
08
caractérisées par les couches magnétiques
10
caractérisées par la composition
12
Métaux ou alliages
14
contenant du fer ou du nickel
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
F
AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10
Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
26
caractérisées par le substrat ou par les couches intermédiaires
30
caractérisées par la composition des couches intermédiaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
国立研究開発法人物質・材料研究機構 NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE [JP/JP]; 茨城県つくば市千現一丁目2番地1 2-1, Sengen 1-chome, Tsukuba-shi, Ibaraki 3050047, JP
Inventeurs :
介川 裕章 SUKEGAWA Hiroaki; JP
シェーク トーマス SCHEIKE Thomas; JP
三谷 誠司 MITANI Seiji; JP
Mandataire :
續 成朗 TSUZUKI Noriaki; JP
Données relatives à la priorité :
2017-17400011.09.2017JP
Titre (EN) PRECURSOR STRUCTURE OF PERPENDICULAR MAGNETIZATION FILM, PERPENDICULAR MAGNETIZATION FILM STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, PERPENDICULAR MAGNETIZATION-TYPE TUNNEL MAGNETORESISTANCE JUNCTION FILM USING THOSE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND PERPENDICULAR MAGNETIZATION-TYPE TUNNEL MAGNETORESISTANCE JUNCTION ELEMENT USING THOSE
(FR) STRUCTURE DE PRÉCURSEUR DE FILM DE MAGNÉTISATION PERPENDICULAIRE, STRUCTURE DE FILM DE MAGNÉTISATION PERPENDICULAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, FILM DE JONCTION DE MAGNÉTORÉSISTANCE TUNNEL DE TYPE À MAGNÉTISATION PERPENDICULAIRE UTILISANT CELLES-CI ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, ET ÉLÉMENT DE JONCTION DE MAGNÉTORÉSISTANCE TUNNEL DE TYPE À MAGNÉTISATION PERPENDICULAIRE UTILISANT CEUX-CI
(JA) 垂直磁化膜の前駆体構造、垂直磁化膜構造、およびその製造方法、これらを用いた垂直磁化型トンネル磁気抵抗接合膜およびその製造方法、ならびにこれらを用いた垂直磁化型トンネル磁気抵抗接合素子
Abrégé :
(EN) By utilizing, as a basic configuration, a combination between MgAl2O4 and an alloy containing Fe as the main component, the present invention provides a perpendicular magnetization film structure having high interface-induced magnetic anisotropy. The perpendicular magnetization film structure (101) according to one embodiment of the present invention is characterized by being provided with: a substrate (2) having an alignment film of a cubic single crystal having the (001) plane or of a cubic or tetragonal system grown through the (001) plane; a foundation layer (3) which is located on the substrate and which is formed of a good conductor; a perpendicular magnetization layer (7) which is located on the foundation layer and which is formed of a product layer of an iron-based alloy containing aluminum as a composition material; and a non-magnetic layer (6) which is disposed on the perpendicular magnetization layer and which is an oxide having a spinel structure or a structure where the cation site in a spinel structure is disordered, and which has grown through the (001) plane.
(FR) En utilisant, en tant que configuration de base, une combinaison entre MgAl2O4 et un alliage contenant du Fe en tant que composant principal, la présente invention concerne une structure de film à magnétisation perpendiculaire ayant une anisotropie magnétique induite par une interface élevée. La structure de film à magnétisation perpendiculaire (101) selon un mode de réalisation de la présente invention est caractérisée en ce qu'elle comprend : un substrat (2) ayant un film d'alignement d'un monocristal cubique ayant la structure plan (001) ou d'un système cubique ou tétragonal développé à travers la structure plan (001) ; une couche de fondation (3) qui est située sur le substrat et qui est formée d'un bon conducteur ; une couche de magnétisation perpendiculaire (7) qui est située sur la couche de fondation et qui est formée d'une couche de produit d'un alliage à base de fer contenant de l'aluminium en tant que matériau de composition ; et une couche non magnétique (6) qui est disposée sur la couche de magnétisation perpendiculaire et qui est un oxyde ayant une structure de spinelle ou une structure dans laquelle le site de cation dans une structure de spinelle est désordonné, et qui est développée à travers la structure plan (001).
(JA) 本発明は、Feを主成分とする合金とMgAlの組み合わせを基本的な構成として利用することで、高い界面誘起磁気異方性を示す垂直磁化膜構造を提供する。本発明の一実施形態に係る垂直磁化膜構造(101)は、(001)面を持つ立方晶系単結晶または(001)面をもって成長した立方晶系または正方晶系の配向膜を有する基板(2)と、当該基板の上に位置し、良導電体からなる下地層(3)と、当該下地層の上に位置し、組成材料としてアルミニウムを含む鉄基合金の生成物層からなる垂直磁化層(7)と、当該垂直磁化層の上に設けられた、スピネル構造もしくはスピネル構造の陽イオンサイトが不規則化した構造を持つ酸化物であり、(001)面を持って成長した非磁性層(6)と、を備えることを特徴とする。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)