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1. (WO2019049735) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ISOLANT, APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
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N° de publication : WO/2019/049735 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/031810
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 28.08.2018
CIB :
H01L 21/312 (2006.01) ,B05C 9/12 (2006.01) ,B05C 9/14 (2006.01) ,B05C 13/02 (2006.01) ,B05D 1/36 (2006.01) ,B05D 3/02 (2006.01) ,B05D 3/06 (2006.01) ,B05D 7/24 (2006.01) ,H01L 21/76 (2006.01) ,B05C 11/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
312
Couches organiques, p.ex. couche photosensible
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
05
PULVÉRISATION OU ATOMISATION EN GÉNÉRAL; APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
C
APPAREILLAGES POUR L'APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
9
Appareillages ou installations pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces par des moyens non prévus dans l'un des groupes B05C1/-B05C7/202
08
pour appliquer un liquide ou autre matériau fluide et exécuter une opération auxiliaire
12
l'opération auxiliaire étant exécutée après l'application
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
05
PULVÉRISATION OU ATOMISATION EN GÉNÉRAL; APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
C
APPAREILLAGES POUR L'APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
9
Appareillages ou installations pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces par des moyens non prévus dans l'un des groupes B05C1/-B05C7/202
08
pour appliquer un liquide ou autre matériau fluide et exécuter une opération auxiliaire
14
l'opération auxiliaire nécessitant un chauffage
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
05
PULVÉRISATION OU ATOMISATION EN GÉNÉRAL; APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
C
APPAREILLAGES POUR L'APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
13
Moyens pour manipuler ou tenir des objets, p.ex. des objets individuels
02
pour des objets particuliers
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
05
PULVÉRISATION OU ATOMISATION EN GÉNÉRAL; APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
D
PROCÉDÉS POUR APPLIQUER DES LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
1
Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces
36
Applications successives de liquides ou d'autres matériaux fluides, p.ex. sans traitement intermédiaire
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
05
PULVÉRISATION OU ATOMISATION EN GÉNÉRAL; APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
D
PROCÉDÉS POUR APPLIQUER DES LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
3
Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliqués; Traitement ultérieur des revêtements appliqués, p.ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides
02
par cuisson
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
05
PULVÉRISATION OU ATOMISATION EN GÉNÉRAL; APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
D
PROCÉDÉS POUR APPLIQUER DES LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
3
Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliqués; Traitement ultérieur des revêtements appliqués, p.ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides
06
par exposition à des rayonnements
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
05
PULVÉRISATION OU ATOMISATION EN GÉNÉRAL; APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
D
PROCÉDÉS POUR APPLIQUER DES LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
7
Procédés, autres que le flocage, spécialement adaptés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides, à des surfaces particulières, ou pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers
24
pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
05
PULVÉRISATION OU ATOMISATION EN GÉNÉRAL; APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
C
APPAREILLAGES POUR L'APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
11
Parties constitutives, détails ou accessoires non prévus dans les groupes B05C1/-B05C9/126
02
Appareils pour étaler ou répartir des liquides ou d'autres matériaux fluides déjà appliqués sur une surface; Réglage de l'épaisseur du revêtement
08
Etalement du liquide ou d'un autre matériau fluide par manipulation de la pièce traitée, p.ex. par inclinaison
Déposants :
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
Inventeurs :
村松 誠 MURAMATSU, Makoto; JP
源島 久志 GENJIMA, Hisashi; JP
Mandataire :
特許業務法人弥生特許事務所 YAYOY PATENT OFFICE; 神奈川県横浜市中区弥生町2丁目15番1号ストークタワー大通り公園3 601号 601, Storktower Odori-Park 3, 2-15-1, Yayoicho, Naka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2310058, JP
Données relatives à la priorité :
2017-17428711.09.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING INSULATING FILM, APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE, AND SYSTEM FOR PROCESSING SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ISOLANT, APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 絶縁膜の成膜方法、基板処理装置及び基板処理システム
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide a technique by which good film quality can be achieved when forming a silicon oxide-containing insulation film as a coating film on a substrate. [Solution] A coating solution containing a polysilazane is applied onto a wafer W, the solvent of the coating solution is volatilized, and then the coating film is irradiated with ultraviolet rays in a nitrogen atmosphere before performing a curing process. Dangling bonds are thus generated in silicon which is a pre-hydrolyzed site in the polysilazane. Therefore, the energy required for hydrolysis is reduced, and unhydrolyzed sites are thus reduced even when the temperature of the curing process is set to 350°C. Since efficient dehydration condensation occurs as a result, the degree of crosslinking is improved, and a dense (high-quality) insulation film can be formed. In addition, by forming a protective film on the surface of the coating film after the coating film has been irradiated with ultraviolet rays, the reaction of dangling bonds prior to the curing process can be suppressed, and the film quality of the coating film is improved.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de produire une technique permettant d'obtenir une bonne qualité de film lors de la formation d'un film d'isolation contenant de l'oxyde de silicium en tant que film de revêtement sur un substrat. La solution selon l'invention consiste à appliquer une solution de revêtement contenant un polysilazane sur une tranche (W), à volatiliser le solvant de la solution de revêtement, puis à exposer le film de revêtement à des rayons ultraviolets dans une atmosphère d'azote avant de mettre en œuvre un procédé de durcissement. Des liaisons pendantes sont ainsi produites dans du silicium qui est un site pré-hydrolysé dans le polysilazane. Par conséquent, l'énergie nécessaire à l'hydrolyse est réduite, et les sites non hydrolysés sont ainsi réduits même lorsque la température du procédé de durcissement est réglée à 350 °C. Étant donné qu'une condensation de déshydratation efficace se produit en conséquence, le degré de réticulation est amélioré, et un film d'isolation dense (de haute qualité) peut être formé. De plus, la formation d'un film protecteur sur la surface du film de revêtement après exposition du film de revêtement à des rayons ultraviolets permet de supprimer la réaction de liaisons pendantes avant la mise en œuvre du procédé de durcissement, et d'améliorer la qualité de film du film de revêtement.
(JA) 【課題】基板上に酸化シリコンを含む絶縁膜を塗布膜として形成するにあたって、良好な膜質が得られる技術を提供すること。 【解決手段】ポリシラザンを含む塗布液をウエハWに塗布し、塗布液の溶媒を揮発させた後、キュア工程を行う前に、窒素雰囲気で前記塗布膜に紫外線を照射している。このためポリシラザンにおける予め加水分解される部位であるシリコンに未結合手を生成される。そのため加水分解に必要なエネルギーが低下することから、キュア工程の温度を350℃としたときにも、加水分解されずに残る部位が少なくなる。この結果効率的に脱水縮合が起こるので、架橋率が向上して緻密な(良質な膜質である)絶縁膜を成膜することができる。 また前記塗布膜に紫外線を照射した後塗布膜の表面に保護膜を形成することにより、キュア工程前における未結合手の反応を抑制することができ、塗布膜の膜質が良好になる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)