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1. (WO2019049718) PHOTODIODE À AVALANCHE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
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N° de publication : WO/2019/049718 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/031674
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 28.08.2018
CIB :
H01L 31/107 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102
caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
107
la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
Déposants :
日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目5番1号 5-1, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008116, JP
Inventeurs :
名田 允洋 NADA, Masahiro; JP
松崎 秀昭 MATSUZAKI, Hideaki; JP
Mandataire :
山川 茂樹 YAMAKAWA, Shigeki; JP
小池 勇三 KOIKE, Yuzo; JP
山川 政樹 YAMAKAWA, Masaki; JP
Données relatives à la priorité :
2017-17098806.09.2017JP
Titre (EN) AVALANCHE PHOTODIODE AND METHOD FOR PREPARING SAME
(FR) PHOTODIODE À AVALANCHE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(JA) アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法
Abrégé :
(EN) According to the present invention, an n-type semiconductor layer (102), a multiplication layer (103), an electric field control layer (104), a light absorption layer (105) and a p-type semiconductor layer (106) are formed on a growth substrate (101), and then the p-type semiconductor layer (106) is attached to a transfer substrate (107). Thereafter, the growth substrate (101) is removed, and the n-type semiconductor layer (102) is processed to have an area smaller than the multiplication layer (103).
(FR) Selon la présente invention, une couche semi-conductrice de type n (102), une couche de multiplication (103), une couche de commande de champ électrique (104), une couche d'absorption de lumière (105) et une couche semi-conductrice de type p (106) sont formées sur un substrat de croissance (101), puis la couche semi-conductrice de type p (106) est fixée à un substrat de transfert (107). Ensuite, le substrat de croissance (101) est retiré, et la couche semi-conductrice de type n (102) est traitée pour avoir une zone plus petite que la couche de multiplication (103).
(JA) n型半導体層(102)、増倍層(103)、電界制御層(104)、光吸収層(105)、p型半導体層(106)を成長基板(101)の上に形成した後で、p型半導体層(106)を転写基板(107)に貼り付ける。この後、成長基板(101)を除去し、n型半導体層(102)を、増倍層(103)より小さい面積に加工する。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)