Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019049692) PROCÉDÉ DE SURVEILLANCE PAR CRISTALLISATION, APPAREIL DE RECUIT AU LASER ET PROCÉDÉ DE RECUIT AU LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/049692 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/031373
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 24.08.2018
CIB :
H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
268
les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
Déposants :
株式会社ブイ・テクノロジー V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県横浜市保土ヶ谷区神戸町134番地 134 Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi Kanagawa 2400005, JP
Inventeurs :
水村 通伸 MIZUMURA, Michinobu; JP
畑中 誠 HATANAKA, Makoto; JP
滝本 政美 TAKIMOTO, Masami; JP
齋藤 香織 SAITO, Kaori; JP
Mandataire :
特許業務法人日誠国際特許事務所 NISSAY INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都港区虎ノ門四丁目3番1号城山トラストタワー33階 Shiroyama Trust Tower 33th Floor, 3-1, Toranomon 4-chome, Minato-ku, Tokyo 1056033, JP
Données relatives à la priorité :
2017-17113806.09.2017JP
Titre (EN) CRYSTALIZED MONITOR METHOD, LASER ANNEALING APPARATUS, AND LASER ANNEALING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE SURVEILLANCE PAR CRISTALLISATION, APPAREIL DE RECUIT AU LASER ET PROCÉDÉ DE RECUIT AU LASER
(JA) 結晶化モニタ方法、レーザアニール装置、およびレーザアニール方法
Abrégé :
(EN) According to the present invention, a film thickness calculation value of each film constituting a laminated structure in a non-treatment area which is adjacent to a treatment area to be annealed, and is not irradiated with a laser beam, is calculated; a crystallization level of the treatment area is calculated by fitting a second spectral spectrum measurement value of the treatment area and a second spectral spectrum calculation value calculated from the film thickness calculation value; and laser energy of the laser beam which a TFT substrate that is to be subjected to the next laser annealing treatment is irradiated with is adjusted.
(FR) Selon la présente invention, une valeur de calcul d'épaisseur de film de chaque film constituant une structure stratifiée dans une zone de non-traitement qui est adjacente à une zone de traitement à recuire, et n'est pas irradiée avec un faisceau laser, est calculée ; un niveau de cristallisation de la zone de traitement est calculé par ajustement d'une seconde valeur de mesure de spectre spectrale de la zone de traitement et d'une seconde valeur de calcul de spectre spectrale calculée à partir de la valeur de calcul d'épaisseur de film ; et l'énergie laser du faisceau laser dont un substrat TFT qui doit être soumis au traitement de recuit laser suivant est irradié avec est ajustée.
(JA) アニールを行う処理領域に近接するレーザ光が照射されない非処理領域の積層構造の各構成膜の膜厚計算値を算出し、処理領域の第2分光スペクトル測定値と、膜厚計算値から計算される第2分光スペクトル計算値と、のフィッティングにより、処理領域の結晶化レベルを算出して、次回にレーザアニール処理を行うTFT基板に対して照射するレーザ光のレーザエネルギーを調整する。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)