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1. (WO2019049641) PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE TRANCHE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM
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N° de publication : WO/2019/049641 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/030614
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 20.08.2018
CIB :
H01L 21/66 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
Déposants :
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
Inventeurs :
五十嵐 健作 IGARASHI Kensaku; JP
阿部 達夫 ABE Tatsuo; JP
Mandataire :
好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio; JP
小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro; JP
Données relatives à la priorité :
2017-17116406.09.2017JP
2018-07989118.04.2018JP
Titre (EN) SILICON WAFER EVALUATION METHOD AND SILICON WAFER MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE TRANCHE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM
(JA) シリコンウェーハの評価方法及びシリコンウェーハの製造方法
Abrégé :
(EN) The present invention provides a silicon wafer evaluation method comprising: a pre-surface defect measuring step of performing surface defect measurement with respect to the silicon wafer in advance; a cleaning step of alternately performing, with respect to the silicon wafer, an oxidizing process using ozone water and an oxide film removing process using hydrofluoric acid under a condition such that an oxide film formed on a silicon wafer surface is not completely removed; and an incremental defect measuring step of performing surface defect measurement with respect to the silicon wafer after the cleaning step, and measuring an incremental defect representing an increase over the defect that has been measured in the pre-surface defect measuring step. The silicon wafer evaluation method is characterized in that the cleaning step and the incremental defect measuring step are alternately performed a plurality of times, and the silicon wafer is evaluated on the basis of the result of measuring the incremental defect after each cleaning step. Thus, provided is a silicon wafer evaluation method with which it becomes possible to evaluate only a defect induced by processing, such as polishing, while excluding crystal-induced defects and particles generated by cleaning and the like.
(FR) La présente invention concerne un procédé d'évaluation de tranche de silicium, comprenant : une étape de mesure préalable de défaut de surface consistant à effectuer à l'avance une mesure de défaut de surface sur la tranche de silicium ; une étape de nettoyage consistant à mettre en œuvre en alternance, par rapport à la tranche de silicium, un procédé d'oxydation faisant appel à de l'eau ozonée et un procédé de retrait de film d'oxyde faisant appel à de l'acide fluorhydrique dans une condition dans laquelle un film d'oxyde formé sur une surface de tranche de silicium n'est pas complètement retiré ; et une étape de mesure de défaut incrémentiel consistant à effectuer une mesure de défaut de surface sur la tranche de silicium après l'étape de nettoyage, et à mesurer un défaut incrémentiel représentant une augmentation par rapport au défaut qui a été mesuré à l'étape de mesure préalable de défaut de surface. Le procédé d'évaluation de tranche de silicium est caractérisé en ce que l'étape de nettoyage et l'étape de mesure de défaut incrémentiel sont effectuées en alternance plusieurs fois, et la tranche de silicium est évaluée sur la base du résultat de la mesure du défaut incrémentiel après chaque étape de nettoyage. Ainsi, l'invention permet d'obtenir un procédé d'évaluation de tranche de silicium permettant d'évaluer uniquement un défaut provoqué par un traitement, par exemple un polissage, tout en excluant les défauts provoqués par des cristaux et les particules produites par le nettoyage et analogues.
(JA) 本発明は、シリコンウェーハの評価方法であって、前記シリコンウェーハに対して、予め表面欠陥測定をする前表面欠陥測定工程と、前記シリコンウェーハに対して、オゾン水による酸化処理と、前記シリコンウェーハ表面に形成されている酸化膜を完全に除去しない条件でのフッ酸による酸化膜除去処理とを交互に繰り返す洗浄工程と、該洗浄工程後の前記シリコンウェーハに対して表面欠陥測定を行い、前記前表面欠陥測定工程で測定された欠陥に対して増加した増加欠陥を測定する増加欠陥測定工程とを有し、前記洗浄工程と前記増加欠陥測定工程を交互に複数回繰り返し行い、各洗浄工程後の前記増加欠陥の測定結果に基づいて前記シリコンウェーハを評価することを特徴とするシリコンウェーハの評価方法である。これにより、結晶起因の欠陥や洗浄等で発生するパーティクル等を除いた、研磨等の加工起因の欠陥のみを評価することができるシリコンウェーハの評価方法が提供される。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)