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1. (WO2019049610) COMPOSITION DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE DE SUBSTRAT DE SILICIUM
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N° de publication : WO/2019/049610 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/030185
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 13.08.2018
CIB :
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01) ,C09K 3/14 (2006.01) ,H01L 21/308 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24
MEULAGE; POLISSAGE
B
MACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37
Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3
Substances non couvertes ailleurs
14
Substances antidérapantes; Abrasifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
308
en utilisant des masques
Déposants :
株式会社フジミインコーポレーテッド FUJIMI INCORPORATED [JP/JP]; 愛知県清須市西枇杷島町地領二丁目1番地1 1-1, Chiryo 2-chome, Nishibiwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi 4528502, JP
Inventeurs :
土屋 公亮 TSUCHIYA, Kohsuke; JP
浅田 真希 ASADA, Maki; JP
Mandataire :
安部 誠 ABE, Makoto; JP
Données relatives à la priorité :
2017-17255707.09.2017JP
Titre (EN) POLISHING COMPOSITION AND SILICON-SUBSTRATE POLISHING METHOD
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE DE SUBSTRAT DE SILICIUM
(JA) 研磨用組成物およびシリコン基板研磨方法
Abrégé :
(EN) Provided is a polishing composition with which it is possible to simultaneously realize low LPD and low surface roughness. The polishing composition provided by the present invention includes abrasive grains, a water-soluble polymer, a surfactant, and a basic compound. With the water-soluble polymer, a washing parameter α represented by expression α = θ1 −θ0 satisfies 1 < α < 35. Here, θ0 in the aforementioned expression is the water contact angle of a pre-SC-1-treatment wafer obtained by applying an aqueous solution of the water-soluble polymer to a surface of a monocrystalline silicon wafer and by subsequently washing the surface with water, and θ1 in the aforementioned expression is the water contact angle of a post-SC-1-treatment wafer obtained by subjecting the pre-SC-1-treatment wafer to a washing treatment A in which the pre-SC-1-treatment wafer is treated for 10 seconds with a room-temperature SC-1 washing liquid LA containing 29% aqueous ammonia, 31% hydrogen peroxide solution, and water at a volume ratio of 1:2:30.
(FR) L'invention concerne une composition de polissage avec laquelle il est possible de réaliser simultanément un faible dépôt en phase liquide et une faible rugosité de surface. La composition de polissage selon la présente invention contient des grains abrasifs, un polymère soluble dans l'eau, un surfactant et un composé basique. Avec le polymère soluble dans l'eau, un paramètre de lavage α représenté par l'expression α = θ1 −θ0 satisfait 1 < α < 35. Selon l'invention, θ0 dans l'expression susmentionnée est l'angle de contact avec l'eau d'une tranche de traitement pré-SC-1 obtenue par application d'une solution aqueuse du polymère soluble dans l'eau à une surface d'une tranche de silicium monocristallin et par lavage ultérieur de la surface avec de l'eau, et θ1 dans l'expression susmentionnée est l'angle de contact avec l'eau d'une tranche de traitement post-SC-1 obtenue en soumettant la tranche de traitement pré-SC-1 à un traitement de lavage A dans lequel la tranche de traitement pré-SC-1 est traitée pendant 10 secondes avec un liquide de lavage SC-1 à température ambiante LA contenant 29 % d'ammoniac aqueux, 31 % de solution de peroxyde d'hydrogène et de l'eau à un rapport volumique de 1: 2:30.
(JA) 低LPDおよび低表面粗さを同時に実現し得る研磨用組成物を提供する。本発明により提供される研磨用組成物は、砥粒、水溶性高分子、界面活性剤、および塩基性化合物を含む。上記水溶性高分子は、以下の式:α=θ1-θ0;により表される洗浄性パラメータαが、1<α<35を満たす。ここで、上記式中のθ0は、単結晶シリコンウェーハの表面に上記水溶性高分子の水溶液を塗布した後に水洗して得られるSC-1処理前ウェーハの水接触角であり、上記式中のθ1は、上記SC-1処理前ウェーハに29%アンモニア水と31%過酸化水素水と水とを1:2:30の体積比で含む室温のSC-1洗浄液Lで10秒間処理する洗浄処理Aを施して得られるSC-1処理後ウェーハの水接触角である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)