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1. (WO2019049608) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES, CIRCUIT FRONTAL HAUTE FRÉQUENCE ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
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N° de publication : WO/2019/049608 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/030084
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 10.08.2018
CIB :
H03H 9/25 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
25
Détails de réalisation de résonateurs utilisant des ondes acoustiques de surface
Déposants :
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs :
岩本 英樹 IWAMOTO, Hideki; JP
Mandataire :
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
Données relatives à la priorité :
2017-17189207.09.2017JP
Titre (EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE, HIGH FREQUENCY FRONT END CIRCUIT AND COMMUNICATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES, CIRCUIT FRONTAL HAUTE FRÉQUENCE ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
(JA) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
Abrégé :
(EN) Provided is an acoustic wave device which is capable of easily adjusting a fractional band, and which is also capable of effectively confining the energy of elastic waves. This acoustic wave device 1 is provided with: a semiconductor substrate 2 that has a first main surface 2a and a second main surface 2c; a piezoelectric thin film 5 that is directly or indirectly provided on the first main surface 2a of the semiconductor substrate 2; and an IDT electrode 6 that is provided on the piezoelectric thin film 5. The semiconductor that constitutes the semiconductor substrate 2 is a high acoustic velocity material through which bulk waves propagate at an acoustic velocity that is higher than the acoustic velocity at which elastic waves propagate through the piezoelectric thin film 5. The semiconductor substrate 2 is composed of: a first region 2b that contains the first main surface 2a; and a second region 2d that is the region other than the first region 2c and contains the second main surface 2c. The electrical resistance of the first region 2c is lower than the electrical resistance of the second region 2d.
(FR) L'invention concerne un dispositif à ondes acoustiques capable d'ajuster facilement une bande fractionnaire, et également capable de confiner efficacement l'énergie d'ondes élastiques. Ce dispositif à ondes acoustiques 1 est pourvu : d'un substrat semi-conducteur 2 qui a une première surface principale 2a et une seconde surface principale 2c ; un film mince piézoélectrique 5 qui est disposé directement ou indirectement sur la première surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2 ; et une électrode IDT 6 qui est disposée sur le film mince piézoélectrique 5. Le semi-conducteur qui constitue le substrat semi-conducteur 2 est un matériau à vitesse acoustique élevée à travers lequel des ondes de volume se propagent à une vitesse acoustique qui est supérieure à la vitesse acoustique à laquelle des ondes élastiques se propagent à travers le film mince piézoélectrique 5. Le substrat semi-conducteur 2 est composé de : une première région 2b qui contient la première surface principale 2a ; et une seconde région 2d qui est la région autre que la première région 2c et contient la seconde surface principale 2c. La résistance électrique de la première région 2c est inférieure à la résistance électrique de la seconde région 2d.
(JA) 比帯域を容易に調整することができ、かつ弾性波のエネルギーを効果的に閉じ込めることができる、弾性波装置を提供する。 弾性波装置1は、第1主面2a及び第2主面2cを有する半導体基板2と、半導体基板2の第1主面2a上に直接的または間接的に設けられている圧電薄膜5と、圧電薄膜5上に設けられているIDT電極6とを備える。半導体基板2を構成する半導体は、圧電薄膜5を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高い高音速材料である。半導体基板2は、第1主面2aを含む第1領域2bと、第2主面2cを含み、かつ、第1領域2c以外の領域である第2領域2dとにより構成されている。第1領域2cの電気抵抗は第2領域2dの電気抵抗よりも低い。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)