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1. (WO2019049591) ÉLÉMENT D'INVERSION DE MAGNÉTISATION DE COURANT DE SPIN ET ÉLÉMENT À EFFET DE RÉSISTANCE MAGNÉTIQUE DE TYPE COUPLAGE SPIN-ORBITE
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N° de publication : WO/2019/049591 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/029754
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 08.08.2018
CIB :
H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01) ,H03B 15/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
82
commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
B
PRODUCTION D'OSCILLATIONS, DIRECTEMENT OU PAR CHANGEMENT DE FRÉQUENCE, À L'AIDE DE CIRCUITS UTILISANT DES ÉLÉMENTS ACTIFS QUI FONCTIONNENT D'UNE MANIÈRE NON COMMUTATIVE; PRODUCTION DE BRUIT PAR DE TELS CIRCUITS
15
Production d'oscillations par effets galvanomagnétiques, p.ex. dispositifs à effet Hall, ou par effets de supraconduction
Déposants :
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 2-5-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 1036128, JP
Inventeurs :
佐々木 智生 SASAKI Tomoyuki; JP
塩川 陽平 SHIOKAWA Yohei; JP
Mandataire :
棚井 澄雄 TANAI Sumio; JP
荒 則彦 ARA Norihiko; JP
飯田 雅人 IIDA Masato; JP
荻野 彰広 OGINO Akihiro; JP
Données relatives à la priorité :
2017-17239907.09.2017JP
Titre (EN) SPIN CURRENT MAGNETIZATION REVERSAL ELEMENT AND SPIN ORBIT TORQUE TYPE MAGNETIC RESISTANCE EFFECT ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT D'INVERSION DE MAGNÉTISATION DE COURANT DE SPIN ET ÉLÉMENT À EFFET DE RÉSISTANCE MAGNÉTIQUE DE TYPE COUPLAGE SPIN-ORBITE
(JA) スピン流磁化反転素子及びスピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子
Abrégé :
(EN) This spin current magnetization reversal element (10) comprises a spin orbit torque wiring (2) extending in a first direction (X), and a first ferromagnetic layer (1) disposed in a second direction (Z) intersecting with the first direction of the spin orbit torque wiring. The spin orbit torque wiring has a first surface (2a) located to the side whereon the first ferromagnetic layer is disposed, and a second surface (2b) to the side facing away from the first surface. On the first surface and outside of a first region (2A) wherein the first ferromagnetic layer is disposed, the spin orbit torque wiring has second regions (2B), which are recessed toward the second surface with respect to the first region.
(FR) Cet élément d'inversion de magnétisation de courant de spin (10) comprend un câblage de couplage spin-orbite (2) s'étendant dans une première direction (X), et une première couche ferromagnétique (1) disposée dans une seconde direction (Z) croisant la première direction du câblage de couplage spin-orbite. Le câblage de couplage spin-orbite a une première surface (2a) située du côté sur lequel est disposée la première couche ferromagnétique, et une seconde surface (2b) du côté opposé à la première surface. Sur la première surface et à l'extérieur d'une première région (2A) dans laquelle est disposée la première couche ferromagnétique, le câblage de couplage spin-orbite comporte des secondes régions (2B), qui sont en retrait vers la seconde surface par rapport à la première région.
(JA) このスピン流磁化反転素子(10)は、第1方向(X)に延在するスピン軌道トルク配線(2)と、前記スピン軌道トルク配線の前記第1方向と交差する第2方向(Z)に配置された第1強磁性層(1)と、を備え、前記スピン軌道トルク配線は、前記第1強磁性層が配置された側に位置する第1面(2a)、及び前記第1面と反対側の第2面(2b)とを有し、前記スピン軌道トルク配線は、前記第1面において、前記第1強磁性層が配置された第1領域(2A)の外に、前記第1領域より前記第2面側に凹む第2領域(2B)を有する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)