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1. (WO2019049572) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
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N° de publication : WO/2019/049572 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/029195
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 03.08.2018
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
Déposants :
富士電機株式会社 FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530, JP
Inventeurs :
熊田 恵志郎 KUMADA, Keishirou; JP
橋爪 悠一 HASHIZUME, Yuichi; JP
星 保幸 HOSHI, Yasuyuki; JP
鈴木 啓久 SUZUKI, Yoshihisa; JP
Mandataire :
酒井 昭徳 SAKAI, Akinori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-17068005.09.2017JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
Abrégé :
(EN) This silicon carbide semiconductor device comprises: a first electroconductive type first semiconductor layer (2) provided on the outer surface of a first electroconductive type semiconductor substrate (1); a second electroconductive type second semiconductor layer (3); a first electroconductive type first semiconductor region (7); and striped gate electrodes (10) provided through a gate insulation film (9). In addition, this silicon carbide semiconductor device comprises a first electrode (13) provided on the surfaces of the second semiconductor layer (3) and the first semiconductor region (7), a plating film (16) selectively provided above the first electrode (13), and solder (17) that anchors a pin-shaped electrode (19) for extracting an external signal to the plating film (16). In a region facing the first electrode (13) where the solder (17) and the plating film (16) are provided, the gate electrodes (10) have a protruding portion extending in a direction that intersects the stripes, and the gate electrodes (10) are connected to one another.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium comprenant : une première couche semi-conductrice de premier type d'électroconductivité (2) disposée sur la surface externe d'un premier substrat semi-conducteur de premier type d'électroconductivité (1) ; une seconde couche semi-conductrice de second type d'électroconductivité (3) ; une première région semi-conductrice de premier type d'électroconductivité (7) ; et des électrodes de grille en bandes (10) disposées à travers un film d'isolation de grille (9). De plus, ce dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium comprend une première électrode (13) disposée sur les surfaces de la seconde couche semi-conductrice (3) et de la première région semi-conductrice (7), un film de placage (16) disposé sélectivement au-dessus de la première électrode (13), et une brasure (17) qui ancre une électrode en forme de broche (19) pour extraire un signal externe vers le film de placage (16). Dans une région faisant face à la première électrode (13) où la brasure (17) et le film de placage (16) sont prévus, les électrodes de grille (10) ont une partie en saillie s'étendant dans une direction qui coupe les bandes, et les électrodes de grille (10) sont reliées les unes aux autres.
(JA) 炭化珪素半導体装置は、第1導電型の半導体基板(1)のおもて面に設けられた第1導電型の第1半導体層(2)と、第2導電型の第2半導体層(3)と、第1導電型の第1半導体領域(7)と、ゲート絶縁膜(9)を介して設けられたストライプ形状のゲート電極(10)と、を備える。また、第2半導体層(3)と第1半導体領域(7)の表面に設けられた第1電極(13)と、第1電極(13)上に、選択的に設けられためっき膜(16)と、めっき膜(16)上に外部信号をとり出すピン状電極(19)を固着するはんだ(17)と、を備える。ゲート電極(10)は、はんだ(17)およびめっき膜(16)が設けられた第1電極(13)と対向する領域において、ストライプ形状と交わる方向に延在した凸部分を有し、ゲート電極(10)同士が接続されている。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)