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1. (WO2019049512) CIRCUIT DE PROTECTION CONTRE LES SURINTENSITÉS
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N° de publication : WO/2019/049512 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/026561
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 13.07.2018
CIB :
H02H 3/087 (2006.01) ,H02H 3/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
H
CIRCUITS DE PROTECTION DE SÉCURITÉ
3
Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion
08
sensibles à une surcharge
087
pour des systèmes à courant continu
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
H
CIRCUITS DE PROTECTION DE SÉCURITÉ
3
Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion
08
sensibles à une surcharge
Déposants :
KYB株式会社 KYB CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区浜松町二丁目4番1号世界貿易センタービル World Trade Center Bldg., 4-1, Hamamatsu-cho 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1056111, JP
Inventeurs :
河野 智行 KAWANO, Tomoyuki; JP
Mandataire :
大森 純一 OMORI, Junichi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-17376911.09.2017JP
Titre (EN) OVERCURRENT PROTECTION CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE PROTECTION CONTRE LES SURINTENSITÉS
(JA) 過電流保護回路
Abrégé :
(EN) The overcurrent protection circuit according to one embodiment of the present invention is provided with a current supply line, a protection transistor, and a voltage generation unit. The current supply line has a first switch and a current detection resistor. The first switch comprises a field effect transistor or an insulating gate-type bipolar transistor. The current detection resistor detects an overcurrent to a load. The current supply line supplies a current to the load from a first current supply source. The protection transistor is connected to the current detection resistor in parallel to each other. The protection transistor has an emitter connected to the current supply line, and a collector connected to the gate of the first switch, and is configured such that the first switch can be switched to an off state wherein the overcurrent to the load is limited.
(FR) Un circuit de protection contre les surintensités selon un mode de réalisation de la présente invention est pourvu d'une ligne d'alimentation en courant, d'un transistor de protection et d'une unité de génération de tension. La ligne d'alimentation en courant possède un premier commutateur et une résistance de détection de courant. Le premier commutateur comprend un transistor à effet de champ ou un transistor bipolaire de type à grille isolante. La résistance de détection de courant détecte une surintensité vers une charge. La ligne d'alimentation en courant fournit un courant à la charge à partir d'une première source d'alimentation en courant. Le transistor de protection est connecté à la résistance de détection de courant en dérivation l'un par rapport à l'autre. Le transistor de protection a un émetteur connecté à la ligne d'alimentation en courant, et un collecteur connecté à la grille du premier commutateur, et est configuré de telle sorte que le premier commutateur peut être commuté vers un état non passant dans lequel la surintensité vers la charge est limitée.
(JA) 本発明の一形態に係る過電流保護回路は、電流供給ラインと、保護用トランジスタと、電圧発生部とを具備する。前記電流供給ラインは、第1のスイッチと、電流検出抵抗とを有する。前記第1のスイッチは、電界効果型トランジスタ又は絶縁ゲート型バイポーラトランジスタで構成される。前記電流検出抵抗は、負荷への過電流を検出する。前記電流供給ラインは、第1の電流供給源から前記負荷へ電流を供給する。前記保護用トランジスタは、前記電流検出抵抗と並列に接続される。前記保護用トランジスタは、前記電流供給ラインに接続されるエミッタと前記第1のスイッチのゲートに接続されるコレクタとを有し、前記負荷への過電流を制限するオフ状態へ前記第1のスイッチを切り替えることが可能に構成される。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)